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B40-28

更新时间： 2024-02-05 11:25:47

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ASI		晶体晶体管射频
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2页	26K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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B40-28 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	最大集电极电流 (IC)：	5 A
基于收集器的最大容量：	65 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	85 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	175 MHz	Base Number Matches：	1

B40-28 数据手册

B40-28

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The B40-28 is Designed for High

Reliability Class C Power Amplifier

Applications up to 250 MHz.

PACKAGE STYLE .380 4L STUD

.112x45°

FEATURES:

· P_G= 8.2 dB min. at 40 W /175 MHz

· h_C= 60 % min. at 40 W /175 MHz

· Omnigold™ Metalization System

ØC

MAXIMUM RATINGS

#8-32 UNC-2A

I_C

5.0 A

65 V

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

MAXIMUM

DIM

inches / mm

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

35 V

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

4.0 V

60 W

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

2.9 ^OC/W

T_STG

_JC

ORDER CODE: ASI10859

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CES

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_C= 10 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 30 V

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

4.0

1.0

200

---

I_CBO

h_FE

I_C= 500 mA

P_OUT= 40 W

5.0

C_ob

V_CB= 30 V

f = 1.0 MHz

f = 175

P_G

8.2

V_CE= 28 V

MHz

h _C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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