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B330B-7 PDF预览

B330B-7

更新时间： 2024-11-25 04:12:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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B330B-7 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.28其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

B330B-7 数据手册

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B320/A/B - B360/A/B  
3.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
Guard Ring Die Construction for Transient  
Protection  
·
·
·
·
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Power Loss, High Efficiency  
Surge Overload Rating to 100A Peak  
SMA  
SMB  
SMC  
B
Dim Min Max Min Max Min Max  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Application  
A
B
C
D
E
G
H
J
2.29 2.92 3.30 3.94 5.59 6.22  
4.00 4.60 4.06 4.57 6.60 7.11  
1.27 1.63 1.96 2.21 2.75 3.18  
0.15 0.31 0.15 0.31 0.15 0.31  
4.80 5.59 5.00 5.59 7.75 8.13  
0.10 0.20 0.10 0.20 0.10 0.20  
0.76 1.52 0.76 1.52 0.76 1.52  
2.01 2.62 2.00 2.62 2.00 2.62  
All Dimensions in mm  
A
J
C
D
·
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
Mechanical Data  
G
H
·
·
Case: Molded Plastic  
E
Terminals: Solder Plated Terminal -  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
·
·
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
“A” Suffix Designates SMA Package  
“B” Suffix Designates SMB Package  
No Suffix Designates SMC Package  
Approx. Weight: SMA 0.064 grams  
SMB 0.093 grams  
SMC 0.21 grams  
·
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol B320/A/B B330/A/B B340/A/B B350/A/B B360/A/B  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
VR(RMS)  
IO  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
20  
14  
30  
21  
40  
50  
35  
60  
42  
V
RMS Reverse Voltage  
28  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 100°C  
3.0  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
100  
A
Forward Voltage  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IRM  
0.50  
0.70  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
0.5  
20  
mA  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
250  
10  
pF  
°C/W  
°C/W  
°C  
RqJT  
RqJA  
TSTG  
Tj  
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 1)  
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating Temperature Range  
50  
-55 to +150  
-55 to +125  
Storage Temperature Range  
°C  
2
Notes:  
1. Thermal Resistance: Junction to terminal, unit mounted on PC board with 5.0 mm (0.013 mm thick) copper pad as heat sink.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS13005 Rev. G-2  
1 of 3  
B320/A/B-B360/A/B  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
B330BE-13 DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, SMB, 2 PIN
B330B-G MPS

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 		暂无描述
B330C SUNMATE

获取价格

 		3.0A Patch Schottky diode 30V SMC series
B330C MDD

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
B330C?? MDD

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 		DO-214AB/SMC
B330LA VISHAY

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B330LA_08 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA, LEAD FRE
B330LA-E3 VISHAY

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 		3A, 30V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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