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B2614-03

更新时间: 2024-11-19 19:59:55
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 光电半导体
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Photo Diode

B2614-03 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.40.60.50风险等级:5.84
配置:SINGLE最大暗电源:100000 nA
红外线范围:YES标称光电流:0.013 mA
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:60 °C最低工作温度:-30 °C
峰值波长:1520 nm最长响应时间:0.00001 s
最小反向击穿电压:5 V最大反向电压:5 V
半导体材料:Germanium形状:ROUND
尺寸:10 mm子类别:Photo Diodes
表面贴装:NOBase Number Matches:1

B2614-03 数据手册

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