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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> B250C7000-4000A
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B250C7000-4000A

更新时间： 2024-09-24 08:48:43
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德欧泰克 - DIOTEC /
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2页 108K
描述
Silicon-Bridge-Rectifiers

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B250C7000-4000A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-W4针数：4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流：275 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

B250C7000-4000A 数据手册

 浏览型号B250C7000-4000A的Datasheet PDF文件第2页 
B...C7000-4000A  
B...C7000-4000A  
Silicon-Bridge-Rectifiers  
Silizium-Brückengleichrichter  
Version 2006-07-28  
Nominal current  
Nennstrom  
7.0 A / 4.0 A  
40...500 V  
5.6±0.2  
32±0.2  
Alternating input voltage  
Eingangswechselspannung  
Type  
Typ  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
32 x 5.6 x 17 [mm]  
9 g  
–
+
~ ~  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Ø 1.2  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
10  
2x7.5  
Standard packaging bulk  
Standard Lieferform lose im Karton  
Dimensions - Maße [mm]  
Mounting clamp BO2 — Befestigungsschelle BO2  
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067  
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Max. alternating input voltage  
Max. Eingangswechselspannung  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
V
VRMS [V]  
V
RRM [V] 1)  
80  
B40C7000-4000A  
B80C7000-4000A  
B125C7000-4000A  
B250C7000-4000A  
B380C7000-4000A  
B500C7000-4000A  
40  
80  
160  
125  
250  
380  
500  
250  
600  
800  
1000  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFRM  
IFSM  
i2t  
50 A 2)  
250/275 A  
310 A2s  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode  
Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
12

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B250C7000-5000 SEMIKRON

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