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B2200B

更新时间： 2024-02-17 16:13:22
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森美特 - SUNMATE /
页数 文件大小 规格书
2页 311K
描述
2.0A Patch Schottky diode 200V SMB series

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B2200B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214
包装说明：SOC,针数：2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.57JESD-30 代码：R-PDSO-C3
长度：4.395 mm功能数量：1
端子数量：3最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOC封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.39 mm
表面贴装：YES电信集成电路类型：SURGE PROTECTION CIRCUIT
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：C BEND
端子节距：1.4 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：60宽度：3.75 mm
Base Number Matches：1

B2200B 数据手册

 浏览型号B2200B的Datasheet PDF文件第2页 
B2150B - B2200B  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 150 - 200V  
CURRENT: 2.0 A  
Features  
!
!
!
Schottky Barrier Chip  
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Power Loss, High Efficiency  
!
!
!
For Use in Low Voltage Application  
Guard Ring Die Construction  
Plastic Case Material has UL Flammability  
Classification Rating 94V-O  
B
SMB(DO-214AA)  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Dim  
Min  
3.30  
4.06  
1.91  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
Max  
A
B
C
D
E
G
H
J
3.94  
4.70  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Mechanical Data  
A
C
!
!
Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
D
!
!
!
J
Weight: 0.093 grams (approx.)  
G
H
All Dimensions in mm  
E
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
Characteristic  
Unit  
B2150B  
B2200B  
Symbol  
V
V
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
0.375”(9.5mm) lead length(see fig.1)  
Peak forward surge current  
I(AV)  
2.0  
A
A
IFSM  
50.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
VF  
IR  
V
0.85  
Maximum instantaneous forward voltage at 2.0A  
0.95  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
0.2  
2.0  
80  
mA  
TA=100 C  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
CJ  
pF  
C/W  
C
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction temperature range  
RθJA  
88  
-65 to +150  
TJ  
Storage temperature range  
C
TSTG  
-65 to +150  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
”
2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2 (5.0x5.0mm) copper pad areas  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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