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B0870YC160

更新时间： 2024-11-18 15:19:07
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
11页 1447K
描述
Littelfuse推出了用于工业应用的相控晶闸管新系列。 器件电压范围在1200V至2500V，适合用于线电压230V至600V以上的应用。

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B0870YC160 数据手册

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Date: - 31st Jan 2023  
Data Sheet Issue: - 1  
Phase Control Thyristor  
Types B0870YC120 and B0870YC160  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1200-1600  
V
V
V
V
1200-1600  
1200-1600  
1300-1700  
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current. Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current. Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current. Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM≤10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
870  
A
A
590  
350  
A
1720  
1470  
8400  
9240  
353×103  
427×103  
500  
A
A
A
A
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
I2t  
(di/dt)cr  
1000  
5
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
Mean forward gate power  
2
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
0.25  
V
THS  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes: -  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr≤0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Types B0870YC120 and B0870YC160 Issue 1  
Page 1 of 11  
Jan 2023  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
B-08-8 POMONA

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 		Interconnection Device
B-08-9 POMONA

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 		Interconnection Device
B08BA1-4.999MHZ MMD

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4.999MHz Nom, HC-49/US, 2 PIN
B08BA1-5.000MHZ MMD

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Nom, HC-49/US, 2 PIN
B08BA1-5.000MHZ-3 MMD

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Nom, HC-49/US, 3 PIN
B08BA1-5.000MHZ-L MMD

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Nom, HC-49/US, 3 PIN
B08BA1-5.999MHZ-3 MMD

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.999MHz Nom, HC-49/US, 3 PIN
B08BA1-5.999MHZ-I MMD

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.999MHz Nom, HC-49/US, 2 PIN
B08BA1-6.000MHZ MMD

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 6MHz Nom, HC-49/US, 2 PIN
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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 6MHz Nom, HC-49/US, 3 PIN

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