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AZV358GTR-E1

更新时间： 2025-07-19 12:20:43

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BCDSEMI		运算放大器光电二极管输出元件信息通信管理
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DUAL LOW VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

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AZV358GTR-E1 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.5 µA	标称共模抑制比：	63 dB
最大输入失调电压：	9000 µV	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.4 mm	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	标称压摆率：	1 V/us
子类别：	Operational Amplifier	供电电压上限：	6 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	标称均一增益带宽：	1000 kHz
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

AZV358GTR-E1 数据手册

Data Sheet

DUAL LOW VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

AZV358

2.7V Electrical Characteristics

Limits in standard typeface are for T_A=25^oC, bold typeface applies over T_A=-40^oC to 85^oC, V_CC=2.7V, V_EE=0V, V_CM=1.0V,

V_O=V_CC/2 and R_L>1MΩ, unless otherwise specified. (Note 2)

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

1.7

V_IO

Input Offset Voltage

250

500

I_B

Input Bias Current

Input Offset Current

I_IO

V_CM

I_CC

150

Input Common Mode Voltage

Range

for CMRR≥50dB

-0.1

1.9

140

340

V_O=V_CC/2, A_VCL=1, No load

Supply Current

µA

420

Common Mode Rejection

Ratio

0≤V_CM≤1.7V

CMRR

PSRR

Power Supply Rejection

Ratio

2.7V≤V_CC≤5V V_O=1V,

V_O=0V

2.69

I_SOURCE

I_SINK

Output Short Circuit Current

Output Voltage Swing

V_O=2.7V

2.60

V_OH

V_OL

R_L=10kΩ to 1.35V

180

MHz

deg

C_L=200pF

Gain Bandwidth Product

Phase Margin

GBWP

φ_M

Gain Margin

G_M

Note 2: Limits over the full temperature are guaranteed by design, but not tested in production.

Mar. 2010 Rev. 1. 3

BCD Semiconductor Manufacturing Limited

1 2 345 6 7...15

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