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AZ23C9V1

更新时间: 2024-01-02 22:27:23
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东电化 - TDK 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 125K
描述
Zener Diode,

AZ23C9V1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.13配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G3
膝阻抗最大值:50 Ω湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
标称参考电压:9.1 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
电压温度Coeff-Max:5.92 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

AZ23C9V1 数据手册

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