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AWU6601RM45Q7

更新时间： 2024-11-24 06:38:47

品牌	Logo	应用领域
ANADIGICS		射频微波
页数	文件大小	规格书
14页	604K
描述
HELP3TM Band 1 / WCDMA / TD-SCDMA 3.4 V / 28.25 dBm Linear PA Module

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AWU6601RM45Q7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOLCC10,.11,24	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	其他特性：	IT CAN ALSO OPERATE AT 1880 TO 1920 MHZ AND 2010 TO 2025 MHZ
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	11.5 dB	最大输入功率 (CW)：	10 dBm
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	10	最大工作频率：	1980 MHz
最小工作频率：	1920 MHz	最高工作温度：	90 °C
最低工作温度：	-30 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SOLCC10,.11,24	电源：	3.4 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	11 mA	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

AWU6601RM45Q7 数据手册

AWU6601

HELP3^TMBand 1 / WCDMA / TD-SCDMA

3.4 V / 28.25 dBm Linear PA Module

Data Sheet - Rev 2.0

FEATURES

•

HSPA Compliant

InGaP HBT Technology

Low Quiescent Current with only 2 Bias Modes

Simpler Calibration

U6601

Low Leakage Current in Shutdown Mode: <1 µA

Internal Voltage Regulator

Integrated “daisy chainable” directional couplers

with CPL^INand CPLOUT Ports

•

Optimized for a 50 Ω System

•ꢀ LowꢀProﬁleꢀMiniatureꢀSurfaceꢀMountꢀPackage

RoHS Compliant Package, 260 ^oC MSL-3

•

M45 Package

10 Pin 3 mm x 3 mm x 1 mm

Surface Mount Module

WCDMA/HSPA Mode

•ꢀ HighꢀEfﬁciency:ꢀ(R99ꢀwaveform)

40 % @ P^OUT= +28.25 dBm

25 % @ P^OUT= +17 dBm

Low Quiescent Current: 8 mA

TD-SCDMA Mode

and standby time. The self-contained 3 mm x 3 mm x

1 mm surface mount package incorporates matching

networksꢀoptimizedꢀforꢀoutputꢀpower,ꢀefﬁciency,ꢀandꢀ

linearity in a 50 Ω system.

36 % @ P^OUT= +27 dBm

20 % @ P^OUT= +16 dBm

APPLICATIONS

•ꢀ WirelessꢀHandsetsꢀandꢀDataꢀDevicesꢀforꢀ

•

WCDMA/HSPA IMT-Band

TD-SCDMA 1.8/2.0 GHz Band

GNDꢀatꢀSlugꢀ(pad)

PRODUCT DESCRIPTION

BATT

VCC

The AWU6601 HELP3^TMPA is a 3rd generation

WCDMA product for UMTS handsets. This PA

incorporates ANADIGICS’ HELP3^TMtechnology to

provideꢀ lowꢀ powerꢀ consumptionꢀ withoutꢀ theꢀ needꢀ

forꢀanꢀexternalꢀvoltageꢀregulator.ꢀAꢀ“daisyꢀchainable”ꢀ

directional coupler is integrated in the module thus

eliminating the need of external couplers. The

deviceꢀisꢀmanufacturedꢀonꢀanꢀadvancedꢀInGaPꢀHBTꢀ

MMIC technology offering state-of-the-art reliability,

temperature stability, and ruggedness. There are two

selectableꢀ biasꢀ modesꢀ thatꢀ optimizeꢀ efﬁciencyꢀ forꢀ

differentꢀoutputꢀpowerꢀlevels,ꢀandꢀaꢀshutdownꢀmodeꢀ

with low leakage current, which increases handset talk

CPL

RFIN

RFOUT

CPL^IN

GND

Bias Control

Voltage Regulation

MODE2 ꢀ(N/C)

MODE1

CPLOUT

Figure 1: Block Diagram

10/2009

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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