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AWT6625ARM45P9

更新时间： 2024-11-20 12:51:23

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ANADIGICS		/
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10页	752K
描述
HELP4 UMTS800 (Band 5) WCDMA, CDMA Multimode PAM

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AWT6625ARM45P9 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	HTSON,
针数：	10	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.82
JESD-30 代码：	S-PDSO-N10	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HTSON	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.13 mm
标称供电电压：	3.4 V	表面贴装：	YES
电信集成电路类型：	RF AND BASEBAND CIRCUIT	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm

AWT6625ARM45P9 数据手册

AWT6625A

HELP4^TMUMTS800 (Band 5)

WCDMA, CDMA Multimode PAM

Data Sheet - Rev 2.6

FEATURES

•

Multimode (HSPA, EVDO Compliant)

4th Generation HELP^TMtechnology

•

•ꢀ HighꢀEfﬁciencyꢀ(R99):ꢀ

ꢀ

ꢀ•ꢀꢀ41ꢀ%ꢀ@ꢀP^OUT= +28.6 dBm

•ꢀꢀ27ꢀ%ꢀ@ꢀP^OUTꢀ=ꢀ+17ꢀdBm

•ꢀꢀ17ꢀ%ꢀ@ꢀP^OUTꢀ=ꢀ+13.5ꢀdBm

•ꢀꢀ18ꢀ%ꢀ@ꢀP^OUTꢀ=ꢀ+7ꢀdBm

•ꢀꢀ11ꢀ%ꢀ@ꢀP^OUTꢀ=ꢀ+3.5ꢀdBm

T6625A

•ꢀ LowꢀQuiescentꢀCurrent:ꢀ<3ꢀmA

•ꢀ LowꢀLeakageꢀCurrentꢀinꢀShutdownꢀMode:ꢀ<5ꢀµA

•

Internal Voltage Regulator

M45 Package

10 Pin 3 mm x 3 mm x 1 mm

Surface Mount Module

•ꢀ Integrated “daisy chainable” directional coupler

with CPL^INand CPLOUT port.

•

Internal DC Blocks on all RF ports

Optimized for a 50 Ω System

talk and standby time. A “daisy chainable” directional

coupler is integrated in the module thus eliminating

the need of an external coupler. The self-contained

3ꢀ mmꢀ xꢀ 3ꢀ mmꢀ xꢀ 1ꢀ mmꢀ surfaceꢀ mountꢀ packageꢀ

incorporates matching networks optimized for output

power,ꢀ efﬁciency,ꢀ andꢀ linearityꢀ inꢀ aꢀ 50ꢀ Ω system.

•ꢀ 1.8VꢀControlꢀLogic

RoHS Compliant Package, 260 ^oCꢀMSL-3

•

APPLICATIONS

GND at Slug (pad)

•ꢀ Bandꢀ5

•ꢀ BandꢀClassesꢀ0ꢀ&ꢀ10ꢀCDMA/EVDOꢀWirelessꢀ

Devices

BATT

PRODUCT DESCRIPTION

The AWT6625A HELP4^TMPA is the 4th generation

HELP^TMproduct for WCDMA devices operating in

UMTS800 (Band 5) and for CDMA devices operating

in Cell-band. This PA incorporates ANADIGICS’

HELP4^TMꢀtechnologyꢀtoꢀdeliverꢀexceptionalꢀefﬁciencyꢀ

at low power levels and low quiescent current without

the need for external voltage regulators or converters.

The device is manufactured using advanced InGaP-

Plus^TMHBT technology offering state-of-the-art

reliability, temperature stability, and ruggedness.

Threeꢀselectableꢀbiasꢀmodesꢀthatꢀoptimizeꢀefﬁciencyꢀ

for different output power levels and a shutdown

mode with low leakage current increase handset

CPL

RFIN

RFOUT

CPL^IN

GND

Bias Control

MODE2

Voltage Regulation

VMODE1

VEN

CPLOUT

Figure 1: Block Diagram

02/2012

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AWT6628ARM45P9	ANADIGICS	获取价格	HELP4 UMTS900 (Band 8) WCDMA Linear PAM
AWT6628ARM45Q7	ANADIGICS	获取价格	HELP4 UMTS900 (Band 8) WCDMA Linear PAM
AWT6631	ANADIGICS	获取价格	HELP3DC UMTS2100 (Band 1) LTE/WCDMA/CDMA/TD-SCDMA Linear PAM
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