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AWT6271RM20P8

更新时间： 2024-10-04 02:55:03
品牌 Logo 应用领域
ANADIGICS 放大器功率放大器蜂窝
页数 文件大小 规格书
8页 219K
描述
HELP Cellular/WCDMA 3.4V/28dBm Linear Power Amplifier Module

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AWT6271RM20P8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BCC
包装说明：HQCCN,针数：10
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.57JESD-30 代码：S-XBCC-N10
JESD-609代码：e3长度：4 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：10最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-20 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HQCCN封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.08 mm
标称供电电压：3.4 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：RF AND BASEBAND CIRCUIT温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：0.85 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4 mmBase Number Matches：1

AWT6271RM20P8 数据手册

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AWT6271  
HELPTM Cellular/WCDMA 3.4V/28dBm  
Linear PowerAmplifier Module  
PRELIMINARY DATASHEET - Rev 1.8  
FEATURES  
•
InGaP HBT Technology  
High Efficiency:  
45 % @ POUT = +28 dBm  
•
20 % @ POUT = +16 dBm  
15 % @ POUT = +7 dBm  
A
WT6271  
•
•
•
•
•
Low Quiescent Current: 16 mA  
Low Leakage Current in Shutdown Mode: <1 µA  
VREF = +2.85 V (+2.75 V min over temp)  
Optimized for a 50 Ω System  
Low Profile Miniature Surface Mount Package: 1.1  
mm Max  
M20 Package  
10 Pin 4 mm x 4 mm x 1.1 mm  
Surface Mount Module  
o
•
•
RoHS Compliant Package, 250 C MSL-3  
HSDPA Capable  
APPLICATIONS  
•
Dual Band WCDMA Wireless Handsets  
MMIC technology offering state-of-the-art reliability,  
temperature stability, and ruggedness. Selectable bias  
modes that optimize efficiency for different output power  
levels, and a shutdown mode with low leakage current,  
increase handset talk and standby time. The self-  
contained 4 mm x 4 mm x 1.1 mm surface mount  
package incorporates matching networks optimized  
for output power, efficiency, and linearity in a 50 Ω  
system.  
•
Dual Mode 3GPP Wireless Handsets  
PRODUCT DESCRIPTION  
The AWT6271 meets the increasing demands for  
higher output power in UMTS handsets. The PAmodule  
is optimized for VREF = +2.85 V, a requirement for  
compatibility with the Qualcomm® 6250 chipset. The  
device is manufactured on an advanced InGaP HBT  
GND at slug (pad)  
1
2
3
4
5
10  
9
V
REF  
GND  
GND  
RFOUT  
GND  
Bias Control  
VMODE  
8
GND  
7
RFIN  
6
V
CC  
VCC  
Figure 1: Block Diagram  
03/2006  
12345678

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与AWT6271RM20P8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AWT6272 ANADIGICS

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 		HELPTM Cellular/WCDMA 3.4 V/29 dBm Linear Power Amplifier Module
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 		HELP Cellular/WCDMA 3.4 V/29 dBm Linear Power Amplifier Module
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