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AWT6167RM15P8

更新时间： 2024-11-18 03:09:39
品牌 Logo 应用领域
ANADIGICS 放大器功率控制功率放大器分布式控制系统GSMDCS
页数 文件大小 规格书
12页 282K
描述
GSM900/DCS Dual Band Power Amplifier Module With Integrated Power Control

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AWT6167RM15P8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.66其他特性：HIGH RELIABILITY, IT CAN ALSO OPERATE AT 1710 TO 1785 MHZ
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
最大输入功率 (CW)：11 dBmJESD-609代码：e3
最大工作频率：915 MHz最小工作频率：880 MHz
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-20 °C
射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER端子面层：Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比：2.5Base Number Matches：1

AWT6167RM15P8 数据手册

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AWT6167R  
GSM900/DCS  
Dual Band PowerAmplifier Module  
With Integrated Power Control  
PRELIMINARY DATASHEET - Rev 1.0  
FEATURES  
•
•
•
Integrated Vreg (regulated supply)  
Harmonic Performance ≤ -20 dBm  
High Efficiency (PAE) at Pmax:  
-GSM900, 55%  
-DCS, 53%  
•
•
•
•
•
+35 dBm GSM900 Output Power at 3.5 V  
A
W
T6167R  
6
1
+33 dBm DCS Output Power at 3.5 V  
55 dB Dynamic Range  
6
7
R
GPRS Class 12 Capable  
RoHS Compliant Package, 250°C MSL-3  
APPLICATIONS  
•
Dual/Tri/Quad Band Handsets & PDAs  
M15 Package  
18 Pin 6 mm x 6 mm x 1.3 mm  
Amplifier Module  
PRODUCT DESCRIPTION  
As with previous generations, the AWT6167R  
integrated CMOS power control scheme simplifies  
the design of the transmitter by eliminating the need  
for external power control circuitry.  
reducing the number of external components  
required in the final application. Both PAdie, GSM900  
and DCS, are fabricated using state of the art InGaP  
HBT technology, known for it is proven reliability and  
temperature stability.  
The AWT6167R input and output terminals are  
internal matched to 50 ohms and DC blocked,  
VCC2  
MATCH  
MATCH  
DCS_IN  
DCS_OUT  
B
S
CMOS BIAS/Integrated Power Control  
H(s)  
TX_EN  
V
CC_OUT  
V
BATT  
EXT  
RAMP  
C
V
MATCH  
MATCH  
GSM900_IN  
GSM900_OUT  
VCC2  
Figure 1: Block Diagram  
06/2005  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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