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AWT6166RM15P8

更新时间： 2024-11-18 03:19:55

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ANADIGICS		放大器功率控制功率放大器过程控制系统分布式控制系统 PCS GSM DCS
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描述
GSM850/GSM900/DCS/PCS Quad Band Power Amplifier Module With Integrated Power Control

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AWT6166RM15P8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	其他特性：	HIGH RELIABILITY, IT CAN ALSO OPERATE AT 880 TO 915 MHZ, 1710 TO 1785 MHZ AND 1850 TO 1910 MHZ
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
最大输入功率 (CW)：	11 dBm	JESD-609代码：	e3
最大工作频率：	849 MHz	最小工作频率：	824 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比：	2.5	Base Number Matches：	1

AWT6166RM15P8 数据手册

AWT6166R

GSM850/GSM900/DCS/PCS

Quad Band PowerAmplifier Module

With Integrated Power Control

Data Sheet - Rev 2.0

FEATURES

•

Integrated Vreg (regulated supply)

Harmonic Performance ≤ -20 dBm

High Efficiency (PAE) at Pmax:

-GSM850, 53%

-GSM900, 55%

-DCS, 53%

-PCS, 53%

•

+35 dBm GSM850/900 Output Power at 3.5 V

+33 dBm DCS/PCS Output Power at 3.5 V

55 dB Dynamic Range

GPRS Class 12 Capable

RoHS Compliant Package, 250°C MSL-3

M15 Package

18 Pin 6 mm x 6 mm x 1.3 mm

Amplifier Module

APPLICATIONS

•

Dual/Tri/Quad Band Handsets & PDAs

PRODUCT DESCRIPTION

As with previous generations, the AWT6166R

integrated CMOS power control scheme simplifies

the design of the transmitter by eliminating the need

for external power control circuitry.

reducing the number of external components

required in the final application. Both PA die,

GSM850/900 and DCS/PCS, are fabricated using

state of the art InGaP HBT technology, known for it is

proven reliability and temperature stability.

The AWT6166R input and output terminals are

internal matched to 50 ohms and DC blocked,

V_CC2

DCS/PCS_IN

MATCH

DCS/PCS_OUT

B_S

CMOS BIAS/Integrated Power Control

H(s)

V_{CC_OUT}

V_BATT

C_EXT

V_RAMP

GSM850/900_IN

GSM850/900_OUT

MATCH

V_CC2

Figure 1: Block Diagram

02/2006

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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