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AVF300

更新时间： 2024-02-21 11:38:29

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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AVF300 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	250 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AVF300 数据手册

AVF300

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .400 2NL FLG

DESCRIPTION:

.025 x 45°

4x .062 x 45°

Ø D

The ASI AVF300 is Designed for

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches mm

MAXIMUM

inches mm

DIM

.020 / 0.51

.100 / 2.54

.376 / 9.55

.110 / 2.79

.395 / 10.03

.030 / 0.76

MAXIMUM RATINGS

.396 / 10.06

.130 / 3.30

.407 / 10.34

18.8 A

I_C

.193 / 4.90

.450 / 11.43

.125 / 3.18

55 V

V_CC

P_DISS

T_J

625 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +250 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

0.3 ^OC/W

.640 / 16.26

.890 / 22.61

.395 / 10.03

.004 / 0.10

.052 / 1.32

.118 / 3.00

.660 / 16.76

.910 / 23.11

.415 / 10.54

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.131 / 3.33

.230 / 5.84

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10572

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 25 mA

I_E= 1 mA

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

3.5

V_CE= 50 V

V_CE= 5.0 V

---

h_FE

I_C= 1.0 A

120

G_P

7.7

V_CC= 50 V P_OUT= 300 W

f = 1030 - 1090 MHz

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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