Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> ABA-53563-TR1

ABA-53563-TR1

更新时间： 2024-02-14 13:53:17

品牌	Logo	应用领域
安华高科 - AVAGO		射频和微波射频放大器微波放大器
页数	文件大小	规格书
8页	98K
描述
3.5 GHz Broadband Silicon RFIC Amplifier 3.5 dB noise figure

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ABA-53563-TR1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSSOP6,.08	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	其他特性：	HIGH RELIABILITY
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	20 dB	最大输入功率 (CW)：	20 dBm
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	6
最大工作频率：	3500 MHz	最小工作频率：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TSSOP6,.08
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	57 mA
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
端子面层：	Tin (Sn)	最大电压驻波比：	1.2
Base Number Matches：	1

ABA-53563-TR1 数据手册

ABA-53563

3.5 GHz Broadband Silicon RFIC Amplifier

Data Sheet

Description

Features

Avago’s ABA-53563 is an economical, easy-to-use, • Operating frequency: DC ~ 3.5 GHz

internally 50-ohm matched silicon monolithic

amplifier that offers excellent gain and flat broadband

• 21.5 dB gain

response from DC to 3.5 GHz. Packaged in an ultra- • VSWR < 2.0 throughout operating frequency

miniature industry-standard SOT-363 package, it

requires half the board space of a SOT-143 package.

• 12.7 dBm output P1dB

• 3.5 dB noise figure

At 2 GHz, the ABA-53563 offers a small-signal gain

of 21.5 dB, output P1dB of 12.7 dBm and 22.9 dBm

• Unconditionally stable

output third order intercept point. It is suitable for • Single 5V supply (Id = 46 mA)

use as buffer amplifiers for wideband applications.

They are designed for low cost gain blocks in cellular

• Lead-free option available

applications, DBS tuners, LNB and other wireless

communications systems.

Applications

• Amplifier for cellular, cordless, special mobile radio, PCS,

ISM, wireless LAN, DBS, TVRO, and TV tuner applications

ABA-53563 is fabricated using Avago’s HP25 silicon

bipolar process, which employs a double-diffused

single polysilicon process with self-aligned submicron

emitter geometry. The process is capable of

simultaneous high f_Tand high NPN breakdown

Attention:

(25 GHz f_Tat 6V BVCEO). The process utilizes indus-

Observe precautions for

try standard device oxide isolation technologies and

handling electrostatic

submicron aluminum multilayer interconnect to

achieve superior performance, high uniformity, and

proven reliability.

sensitive devices.

ESD Machine Model (Class A)

ESD Human Body Model (Class 1A)

Surface Mount Package: SOT-363/SC70

Refer to Agilent Application Note A004R:

Electrostatic Discharge Damage and Control.

Simplified Schematic

Output

& Vcc

Vcc

Pin Connections and Package Marking

Output

& Vcc

GND 1

Input

GND 2

Input

GND 3

Vcc

Ground 2

Ground 3

Ground 1

Note:

Top View. Package marking provides orientation

and identification. “x” is character to identify

date code.

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与ABA-53563-TR1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ABA-53563-TR1G	AVAGO	3.5 GHz Broadband Silicon RFIC Amplifier 3.5 dB noise figure	获取价格
ABA-53563-TR2	AVAGO	3.5 GHz Broadband Silicon RFIC Amplifier 3.5 dB noise figure	获取价格
ABA-53563-TR2	AGILENT	3.5 GHz Broadband Silicon RFIC Amplifier	获取价格
ABA-53563-TR2G	AVAGO	3.5 GHz Broadband Silicon RFIC Amplifier 3.5 dB noise figure	获取价格
ABA-54563	AGILENT	3.4 GHz Broadband Silicon RFIC Amplifier	获取价格
ABA-54563-BLK	AGILENT	RF/Microwave Amplifier, 1 Func, BIPolar,	获取价格

与ABA-53563-TR1相关文章

MAX487芯片引脚图及功能、应用领域详解
2024-04-17

14
IR2110驱动芯片引脚图及功能、电路图详解
2024-04-17

10
74LS74是什么芯片 74LS74引脚图及功能表
2024-04-16

14
CD4511芯片引脚图及功能、电路图解析
2024-04-15

22

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ABA-53563-TR1

ABA-53563-TR1 技术参数

ABA-53563-TR1 数据手册

与ABA-53563-TR1相关器件

与ABA-53563-TR1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ABA-53563-TR1

ABA-53563-TR1 技术参数

ABA-53563-TR1 数据手册

与ABA-53563-TR1相关器件

与ABA-53563-TR1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？