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AV945LT1

更新时间： 2022-12-19 03:55:57
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AVICTEK 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 260K
描述
TRANSISTOR（ NPN ）

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AV945LT1 数据手册

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@vic  
AV945  
SOT— 23  
1. BASE  
AV945LT1  
TRANSISTOR（ NPN ）  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
FEATURES  
Power dissipation  
PCM  
Collector current  
ICM  
:
0.2  
W（Tamb=25℃）  
2.4  
1.3  
:
0.15  
A
Collector-base voltage  
V(BR)CBO : 60  
V
Operating and storage junction temperature range  
TJ，Tstg: -55℃ to +150  
Unit : mm  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃  
otherwise specified）  
unless  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
60  
50  
5
V
V
V
(BR)CBO  
Ic= 1mA， IE=0  
Ic= 0.1mA， IB=0  
V
(BR)CEO  
V
(BR)EBO  
Ic= 100μA， IB=0  
VCB=60 V , IE=0  
VCB=45 V , IE=0  
VEB= 5V , IC=0  
VCE= 6V, IC= 1mA  
VCE= 6V, IC= 0.1mA  
IC=100 mA, IB= 10mA  
IC=100 mA, IB= 10mA  
IE= 310mA  
ICBO  
0.1  
0.1  
μA  
μA  
μA  
Collector cut-off current  
ICEO  
Emitter cut-off current  
IEBO  
0.1  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBEF  
130  
40  
400  
DC current gain  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
0.3  
1
V
V
V
1.4  
VCE=6V, I = 10mA  
C
Transition frequency  
150  
MHz  
fT  
f=30MHz  
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Rank  
L
H
Range  
130-200  
200-400  
MARKING  
CR  
Copyright @vic Electronics Corp.  
1
Website http://www.avictek.com  
12

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