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AV13001

更新时间： 2022-12-20 07:18:45

品牌	Logo	应用领域
AVICTEK		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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AV13001 数据手册

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@vic AV13001

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FEATURES

* Collector-Base Voltage: V(BR)_CBO=600V

* Collector Current: I_C=0.2A

1

TO-92

1: BASE 2: COLLECTOR 3: EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Ic

RATING

600

UNIT

V

400

V

7

V

Collector current

200

mA

mW

°C

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Pc

750

T_j

150

T_STG

-55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS _(Tc=25°C)

PARAMETER

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

SYMBOL

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

I_C=100µA, IE=0

600

400

V

V

Ic=1mA, I_B=0

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC current gain

V(BR)_EBO

I_CBO

I_E=100µA, IC=0

V_CB=600V, I_E=0

7

V

100

200

100

70

µA

µA

µA

I_CEO

V_CE=400V, I_B=0

I_EBO

V_EB=7V, I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

V_CE=20V, Ic=20mA

V_CE=10V, Ic=0.25mA

Ic=50mA, I_B=10mA

Ic=50mA, I_B=10mA

I_E=100mA

10

5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter Saturation Voltage

Base-emitter Voltage

Transition Frequency

Fall Time

0.5

1.2

1.1

V

V

V

f_T

V_CE=20V, Ic=20mA, f=1MHz

Ic=50mA, I_B1=-I_B2=5mA,

Vcc=45V

8

MHz

µs

µs

t_F

0.3

1.5

Storage Time

t_S

QW-R201-055,A

12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AV13003	AVICTEK	TO-126 Triple Diffused NPN Transistor	获取价格
AV13005	AVICTEK	TO-220 NPN SILICON POWER TRANSISTOR	获取价格
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