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AUIRGP35B60PD

更新时间： 2024-09-14 19:12:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 386K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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AUIRGP35B60PD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.41
其他特性：HIGHER RELIABILITY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：60 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：16 ns
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：308 W最大上升时间（tr）：11 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：142 ns
标称接通时间 (ton)：34 nsBase Number Matches：1

AUIRGP35B60PD 数据手册

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SMPS IGBT  
PD - 95329  
IRGP35B60PDPbF  
WARP2 SERIES IGBT WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 1.85V  
@ VGE = 15V IC = 22A  
Applications  
• Telecom and Server SMPS  
• PFC and ZVS SMPS Circuits  
• Uninterruptable Power Supplies  
• ConsumerElectronicsPowerSupplies  
• Lead-Free  
Equivalent MOSFET  
Parameters  
RCE(on) typ. = 84mΩ  
ID (FET equivalent) = 35A  
G
E
Features  
• NPT Technology, Positive Temperature Coefficient  
• Lower VCE(SAT)  
n-channel  
• Lower Parasitic Capacitances  
• Minimal Tail Current  
• HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode  
• Tighter Distribution of Parameters  
• Higher Reliability  
E
C
G
Benefits  
• Parallel Operation for Higher Current Applications  
• Lower Conduction Losses and Switching Losses  
• Higher Switching Frequency up to 150kHz  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
Collector-to-Emitter Voltage  
VCES  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4)  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Maximum Repetitive Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
60  
IC @ TC = 25°C  
34  
IC @ TC = 100°C  
120  
ICM  
120  
A
ILM  
40  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFRM  
15  
60  
±20  
V
VGE  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
308  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
TJ  
123  
-55 to +150  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.41  
1.7  
Units  
°C/W  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Rθ (IGBT)  
JC  
–––  
RθJC (Diode)  
0.24  
–––  
40  
Rθ  
CS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
Weight  
–––  
RθJA  
6.0 (0.21)  
–––  
g (oz)  
6/2/04  
1234567...11

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AUIRGP35B60PD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON

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