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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRFS3004TRR
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AUIRFS3004TRR

更新时间： 2024-09-27 12:30:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 295K
描述
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance

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AUIRFS3004TRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：195 A最大漏极电流 (ID)：195 A
最大漏源导通电阻：0.00175 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：380 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1310 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRFS3004TRR 数据手册

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PD - 96400A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFS3004  
AUIRFSL3004  
HEXFET® Power MOSFET  
40V  
Features  
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
D
S
l
l
l
l
l
l
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
1.4m  
1.75m  
Ω
Ω
G
ID  
340A  
(Silicon Limited)  
ID  
195A  
(Package Limited)  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C  
junctionoperatingtemperature, fastswitchingspeedand  
improved repetitive avalanche rating . These features  
combine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications and a  
D
D
S
S
D
G
G
D2Pak  
AUIRFS3004  
TO-262  
AUIRFSL3004  
wide variety of other applications.  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestress  
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications  
is not implied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability. Thethermal  
resistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.Ambienttemperature(TA)  
is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Max.  
340  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
240  
195  
1310  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
W
380  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
2.5  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
4.4  
300  
Peak Diode Recovery  
Single Pulse Avalanche Energy  
dv/dt  
EAS (Thermally limited)  
V/ns  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
TJ  
mJ  
-55 to + 175  
300  
Operating Junction and  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.40  
40  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
RθJA  
–––  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
10/4/11  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRFS3006 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRFS3006-7P INFINEON

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 		HEXFETPower MOSFET
AUIRFS3006-7TRL INFINEON

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 		HEXFETPower MOSFET
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