5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > AUIRFR120Z
AUIRFR120Z PDF预览

AUIRFR120Z

更新时间： 2024-11-05 19:47:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 305K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

AUIRFR120Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.48
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.7 A
最大漏极电流 (ID)：8.7 A最大漏源导通电阻：0.19 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRFR120Z 数据手册

 浏览型号AUIRFR120Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AUIRFR120Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AUIRFR120Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AUIRFR120Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AUIRFR120Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AUIRFR120Z的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96345  
AUIRFR120Z  
AUIRFU120Z  
AUTOMOTIVE MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
V(BR)DSS  
RDS(on) typ.  
max.  
100V  
l
l
l
l
l
l
l
AdvancedProcessTechnology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
FastSwitching  
150m  
190m  
8.7A  
Ω
Ω
G
RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
AutomotiveQualified*  
S
ID  
D
D
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C  
junction operating temperature, fast switching speed and  
improved repetitive avalanche rating . These features  
combine to make this design an extremely efficient and  
reliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsandawide  
varietyofotherapplications.  
S
S
D
D
G
G
D-Pak  
I-Pak  
AUIRFU120Z  
AUIRFR120Z  
G
Gate  
D
Drain  
S
Source  
AbsoluteMaximumRatings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice. These  
arestressratingsonly;andfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditionbeyondthoseindicatedin  
thespecificationsisnotimplied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevice  
reliability.Thethermalresistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.  
Ambienttemperature(TA)is25°C, unlessotherwisespecified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
8.7  
Units  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
6.1  
A
@ T = 100°C  
C
35  
DM  
35  
Power Dissipation  
@T = 25°C  
C
W
W/°C  
V
P
D
0.23  
Linear Derating Factor  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
EAS  
18  
Single Pulse Avalanche Energy(Thermally limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (Tested )  
20  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction and  
mJ  
-55 to + 175  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
4.28  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
12/06/10  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

AUIRFR120Z 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFR120ZTRL INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR120ZTRPBF INFINEON

类似代替

 暂无描述
IRFR120ZPBF INFINEON

类似代替

 AUTOMOTIVE MOSFET

与AUIRFR120Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRFR120ZTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR2307Z KERSEMI

获取价格

 		Advanced Process Technology
AUIRFR2307Z INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR2307ZTR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR2307ZTRL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR2307ZTRR INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFR2405 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR2405TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR2405TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFR2405TRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与AUIRFR120Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证