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AU5517DR2

更新时间： 2024-09-15 03:19:47
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安森美 - ONSEMI 放大器
页数 文件大小 规格书
14页 187K
描述
Dual Operational Transconductance Amplifier

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AU5517DR2 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP16,.25
针数：16Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.52放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：TRANSCONDUCTANCE最大平均偏置电流 (IIB)：8 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：5 µA标称共模抑制比：110 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：5000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e0
长度：9.9 mm低-失调：NO
负供电电压上限：-22 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：2端子数量：16
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP16,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：RAIL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
标称压摆率：50 V/us子类别：Operational Amplifiers
最大压摆率：4 mA供电电压上限：22 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30标称均一增益带宽：2000 kHz
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

AU5517DR2 数据手册

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NE5517, NE5517A, AU5517  
Dual Operational  
Transconductance Amplifier  
The AU5517 and NE5517 contain two current-controlled  
transconductance amplifiers, each with a differential input and  
push-pull output. The AU5517/NE5517 offers significant design and  
performance advantages over similar devices for all types of  
programmable gain applications. Circuit performance is enhanced  
through the use of linearizing diodes at the inputs which enable a  
10 dB signal-to-noise improvement referenced to 0.5% THD. The  
AU5517/NE5517 is suited for a wide variety of industrial and  
consumer applications.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
Constant impedance of the buffers on the chip allow general use of  
the AU5517/NE5517. These buffers are made of Darlington  
transistors and a biasing network that virtually eliminate the change of  
SOIC−16  
D SUFFIX  
CASE 751B  
xx5517DG  
AWLYWW  
1
1
offset voltage due to a burst in the bias current I , hence eliminating  
ABC  
the audible noise that could otherwise be heard in high quality audio  
applications.  
Features  
• Constant Impedance Buffers  
1
PDIP−16  
N SUFFIX  
CASE 648  
• DV of Buffer is Constant with Amplifier I  
Change  
BE  
BIAS  
NE5517yy  
AWLYYWWG  
• Excellent Matching Between Amplifiers  
• Linearizing Diodes  
• High Output Signal-to-Noise Ratio  
• Pb−Free Packages are Available*  
1
xx  
yy  
A
= AU or NE  
= AN or N  
= Assembly Location  
Applications  
WL = Wafer Lot  
YY, Y = Year  
WW = Work Week  
• Multiplexers  
• Timers  
G
= Pb−Free Package  
• Electronic Music Synthesizers  
• Dolby® HX Systems  
• Current-Controlled Amplifiers, Filters  
• Current-Controlled Oscillators, Impedances  
PIN CONNECTIONS  
N, D Packages  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
I
I
ABCb  
ABCa  
D
a
D
b
+IN  
a
+IN  
−IN  
VO  
b
−IN  
a
b
VO  
a
b
V−  
V+  
IN  
IN  
BUFFERa  
BUFFERa  
BUFFERb  
VO  
VO  
BUFFERb  
(Top View)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 13 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
April, 2006 − Rev. 3  
NE5517/D  
1234567...14

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AU5517DR2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NE5517DR2G ONSEMI

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AU5780AD,112 NXP

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 		IC SPECIALTY INTERFACE CIRCUIT, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, SOIC-8, Interface IC:Other
AU5780AD/N,118 NXP

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