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ATR3515-PEQ

更新时间： 2024-02-03 00:53:46

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爱特美尔 - ATMEL		放大器功率放大器 WLAN 无线无线局域网
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7页	155K
描述
5-GHz WLAN Power Amplifier for 802.11a

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ATR3515-PEQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFN
包装说明：	4 X 4 MM, MO-220, QFN-16	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.92	JESD-30 代码：	S-XQCC-N16
长度：	4 mm	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	75 °C	最低工作温度：	-25 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	HVQCCN
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	标称供电电压：	3.3 V
表面贴装：	YES	电信集成电路类型：	SUPPORT CIRCUIT
温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	4 mm

ATR3515-PEQ 数据手册

Features

• Frequency Range 4.9 GHz to 5.9 GHz

• Supply-voltage 2.7 V to 3.6 V

• 2.5% EVM at 19 dBm Output Power at 54 Mbit/s OFDM

• 26.5 dB P_1dB

• On-chip Power Detector with 20 dB Dynamic Range

• Power-down Mode and Biasing Control

• Low Profile Lead-free Plastic Package QFN16 (4 P 4 P 0.9 mm)

Applications

5-GHz WLAN

Power Amplifier

for 802.11a

• IEEE 802.11a OFDM WLAN

• Hiperlan2 WLAN

• PC Cards, PCMCIA

• 5 GHz ISM Band Application

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

ATR3515

Description

Preliminary

Process

The 5-GHz power amplifier is designed in Atmel’s advanced Silicon-Germanium

(SiGe) process and provides excellent linearity and noise performance as well as

good power-added efficiency.

Circuitry

The PA consists of a two-stage amplifier with a P_1dbof 26 dBm. The output stage was

realized using an open-collector structure. Power-up/down and output level are con-

trolled at bias control pin 6 (VCTL). An on-chip power detector provides a voltage

proportional to the output power.

Figure 1. Block Diagram

VCC1

VCC2

ATR3515

RFOUT

RFIN

Matching

Power

Detector

Bias control

Rev. 4514H–WLAN–12/03

VCTL

VCC_CTL

VDET_OUT

12 3 4 5 6 7

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