是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIP, DIP28,.3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.13 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 40 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 25 MHz | 周期时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 27.94 mm | 内存密度: | 147456 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 16KX9 |
可输出: | NO | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度: | 3.94 mm | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.11 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | GOLD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 总剂量: | 30k Rad(Si) V |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962D9317708VNC | MICROCHIP | FIFO, 16KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS |
获取价格 |
|
5962D9317708VNC | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 16 Kb x 9 Parallel FIFO |
获取价格 |
|
5962D9317708VNX | ATMEL | FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, 0.400 INCH, DFP-28 |
获取价格 |
|
5962D9317708VTC | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 16 Kb x 9 Parallel FIFO |
获取价格 |
|
5962D9317708VTX | ACTEL | FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
获取价格 |
|
5962D9317709VNC | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 16 Kb x 9 Parallel FIFO with Programmable Flag |
获取价格 |