是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | QFF, QFL84,1.2SQ | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.36 | 最长访问时间: | 30 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-XQFP-F84 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 29.21 mm |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 84 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | QFF | 封装等效代码: | QFL84,1.2SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class V | 座面最大高度: | 2.89 mm |
最大待机电流: | 0.0004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.34 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 29.21 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9161709V9A | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 8 Kb x 16 Dual Port RAM |
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5962-9161709VZC | ATMEL | Rad. Tolerant High Speed 8 Kb x 16 Dual Port RAM |
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5962-9161801MXA | IDT | FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP32, CERDIP-32 |
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5962-9161801MXX | ETC | x9 Asynchronous FIFO |
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5962-9161802MXX | ETC | x9 Asynchronous FIFO |
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5962-9161901MPX | ETC | Analog Comparator |
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