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5962-8959847Q6A

更新时间： 2024-01-04 21:02:33

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爱特美尔 - ATMEL		内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
15页	337K
描述
Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM

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5962-8959847Q6A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	DIE, PGA66,11X11	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.9	最长访问时间：	30 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	X-XUUC-N
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装等效代码：	PGA66,11X11
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class Q	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

5962-8959847Q6A 数据手册

Features

• Operating Voltage: 5V

• Access Time: 30, 45 ns

• Very Low Power Consumption

– Active: 250 mW (Typ)

– Standby: 1 µW (Typ)

– Data Retention: 0.5 µW (Typ)

• Wide Temperature Range: -55°C to +125°C

• 400 Mils Width Packages: FP32 and SB32

• TTL Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

• Single 5V Supply

• Equal Cycle and Access Time

• Gated Inputs:

Rad. Tolerant

128K x 8

– No Pull-up/down

Very Low Power

5V CMOS SRAM

– Resistors Are Required

• QML Q and V with SMD 5962-89598

• ESCC B with Specification 9301/047

Description

M65608E

The M65608E is a very low power CMOS static RAM organized as 131072 x 8 bits.

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the M65608E combines an

extremely low standby supply current (Typical value = 0.2 µA) with a fast access time

at 30 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell pro-

vides excellent protection against soft errors due to noise.

The M65608E is processed according to the methods of the latest revision of the MIL

STD 883 (class B or S), ESA SCC 9000 or QML.

Rev. 4151I–AERO–03/04

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