是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.04 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS | 数据保留时间-最小值: | 10 |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.85 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 3.05 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 12.2 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-3826707MZA | ETC | x8 EEPROM |
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5962-3826707MZC | XICOR | EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 |
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5962-3826707MZM | MAXWELL | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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5962-3826707MZQ | MAXWELL | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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5962-3826707MZV | MAXWELL | MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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5962-3826707MZX | ATMEL | 1-Megabit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMs |
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