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5962-0622901QXC

更新时间： 2024-02-21 07:18:43

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路静态存储器异步传输模式 ATM
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19页	326K
描述
Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi-Chip Module

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5962-0622901QXC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFF,	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.34
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	IT CAN BE USED AS 2 BANK OF 512K X 16 OR 4 BANK OF 512K X 8 ALSO	JESD-30 代码：	S-CQFP-F68
JESD-609代码：	e4	长度：	24.13 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX32	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QFF	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：	4.7 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	GOLD
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	24.13 mm
Base Number Matches：	1

5962-0622901QXC 数据手册

Features

•

16 Mbit SRAM Multi Chip Module

Allows 32-, 16- or 8-bit access configuration

Operating Voltage: 3.3V + 0.3V, 5V Tolerant

Access Time:

– 25 ns, 20 ns

– 18 ns (preliminary information)

Very Low Power Consumption

•

– Active: 595 mW per byte (Max) @ 20 ns⁽¹⁾, 415mW per byte (Max) @ 50ns⁽²⁾

– Standby: 15 mW (Typ)

•

Military Temperature Range: -55 to +125°C

TTL-Compatible Inputs and Outputs

Asynchronous

Rad Hard

16 MegaBit 3.3V

5V Tolerant

SRAM Multi-

Chip Module

Die manufactured on Atmel 0.25 µm Radiation Hardened Process

No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²

Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

ESD Better than 2000V

Quality Grades:

– QML-Q or V with SMD 5962-06229

– ESCC

•

950 Mils Wide MQFP 68 Package

Mass : 8.5 grams

Notes: 1. For AT68166FT-20 only. 540mW for AT68166FT-25.

2. For AT68166FT-20 only. 450mW for AT68166FT-25.

AT68166FT

Description

The AT68166FT is a 16Mbit SRAM packaged in a hermetic Multi Chip Module (MCM)

for space applications.

The AT68166FT MCM incorporates four 4Mbit AT60142FT SRAM dice. It can be orga-

nized as either one bank of 512Kx8, two banks of 512Kx16 or four banks of 512Kx8. It

combines rad-hard capabilities, a latch-up threshold of 80MeV.cm²/mg, a Multiple Bit

Upset immunity and a total dose tolerance of 300Krads, with a fast access time.

The MCM packaging technology allows a reduction of the PCB area by 50% with a

weight savings of 75% compared to four 4Mbit packages.

Thanks to the small size of the 4Mbit SRAM die, Atmel has been able to accommo-

date the assembly of the four dice on one side of the package which facilitates the

power dissipation.

The compatibility with other products allows designers to easily migrate to the Atmel

AT68166FT memory.

The AT68166FT is powered at 3.3V and is 5V tolerant.

The AT68166FT is processed according to the test methods of the latest revision of

the MIL-PRF-38535 or the ESCC 9000.

7531G–AERO–07/07

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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