是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP24,.3 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.75 |
其他特性: | 8 MACROCELLS | 架构: | PAL-TYPE |
最大时钟频率: | 68 MHz | JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 31.877 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 专用输入次数: | 12 |
I/O 线路数量: | 8 | 输入次数: | 20 |
输出次数: | 8 | 产品条款数: | 64 |
端子数量: | 24 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 12 DEDICATED INPUTS, 8 I/O |
输出函数: | MACROCELL | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
可编程逻辑类型: | FLASH PLD | 传播延迟: | 10 ns |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.334 mm |
子类别: | Programmable Logic Devices | 最大供电电压: | 5.5 V |
最小供电电压: | 4.5 V | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
GAL20V8B-10LPN | LATTICE |
功能相似 |
High Performance E2CMOS PLD Generic Array Log | |
PALCE20V8-10PC | CYPRESS |
功能相似 |
Flash Erasable, Reprogrammable CMOS PAL Device |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ATF20V8B-10SC | ATMEL |
获取价格 |
High- Performance EE PLD | |
ATF20V8B-10SI | ATMEL |
获取价格 |
High- Performance EE PLD | |
ATF20V8B-10XC | ATMEL |
获取价格 |
High- Performance EE PLD | |
ATF20V8B-10XI | ATMEL |
获取价格 |
High- Performance EE PLD | |
ATF20V8B-15GC | ETC |
获取价格 |
Electrically-Erasable PLD | |
ATF20V8B-15GI | ATMEL |
获取价格 |
Flash PLD, 15ns, PAL-Type, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
ATF20V8B-15GM | ETC |
获取价格 |
Electrically-Erasable PLD | |
ATF20V8B-15GM/883 | ETC |
获取价格 |
Electrically-Erasable PLD | |
ATF20V8B-15JC | ATMEL |
获取价格 |
High- Performance EE PLD | |
ATF20V8B-15JI | ATMEL |
获取价格 |
High- Performance EE PLD |