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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| 最小击穿电压： | 90 V | 二极管电容容差： | 10% |
| 最小二极管电容比： | 8.4 | 标称二极管电容： | 3.3 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | L BAND TO S BAND | JESD-30 代码： | O-CEMW-N2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | MICROWAVE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小质量因数： | 850 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 变容二极管分类： | ABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT900715 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band to S Band, 3.3pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, DO-7, |
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| AT900720 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band to S Band, 3.3pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900721 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band to S Band, 3.3pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900731 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band to S Band, 3.3pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900783 | ASI |
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暂无描述 |
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| AT900784 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band to S Band, 3.3pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT9008 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900801 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900810 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900811 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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