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AT65609EHV-C940-E

更新时间： 2024-09-25 03:12:59

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		ATM 异步传输模式静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	712K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, PDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZE-32

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AT65609EHV-C940-E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.64
最长访问时间：	40 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
长度：	40.64 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.32 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AT65609EHV-C940-E 数据手册

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AT65609EHV

Rad Hard, 5V, 128K x 8 Very Low Power CMOS SRAM

DATASHEET

Features

z Asynchronous SRAM

z Operating Voltage: 5V

z Read Access Time: 40 ns

z Write Cycle Time: 30 ns

z Very Low Power Consumption (Pre-RAD)

z Active: 275 mW (Max)

z Standby: 44 mW (Max)

z Wide Temperature Range: -55°C to +125°C

z 400 Mils Width Packages: FP32 and SB32

z TTL Compatible Inputs and Outputs

z No Single Event Latch-up below a LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²@125°C

z Radiation Tolerance⁽¹⁾

z Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si)

z RHA capability of 100 krad (Si) according to MIL STD 883 Method 1019

z ESD better than 4000V

z Deliveries at least equivalent to QML procurement according to MIL-PRF38535

z Pin to pin compatible with M65608E

Note:

1. tolerance to MBU’s may need to be enhanced by the application

Description

The AT65609EHV is a very low power CMOS static RAM organized as 131072 x 8 bits.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the AT65609EHV combines an

extremely low standby supply current with a fast access time over the full military

temperature range. The high stability of the 6T cell provides an excellent protection

against soft errors due to noise.

The AT65609EHV is processed according to the methods of the latest revision of the

MIL PRF 38535 or ESCC 9000.

It is manufactured on the same process as the MH1RT Rad-Hard sea of gates series.

7832E–AERO–09/14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT65609EHV-DJ40-E	MICROCHIP	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, PDFP32
AT65609EHV-DJ40MQ	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, PDFP32, 0.400 INCH, FLATPACK-32
AT65609EHV-DJ40SR	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, PDFP32, 0.400 INCH, FLATPACK-32
AT65609EHV-DJ40SV	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, PDFP32, 0.400 INCH, FLATPACK-32
AT671	POSEICO	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTOR
AT671S45	POSEICO	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTOR
AT6-75	ETC	获取价格	Analog IC
AT-6-75+	MINI	获取价格	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 500MHz Max, CASE A04
AT681	POSEICO	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTOR
AT68166F	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM Multi-Chip Module

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