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Datasheet > 存储 > 闪存> AT49HF010-45PJ
AT49HF010-45PJ PDF预览

AT49HF010-45PJ

更新时间： 2024-09-21 13:05:43
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存存储内存集成电路异步传输模式ATM
页数 文件大小 规格书
10页 251K
描述
Flash, 128KX8, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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AT49HF010-45PJ 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.7
Is Samacsys：N最长访问时间：45 ns
其他特性：HARDWARE DATA PROTECTION; BYTE PROGRAMMABLEJESD-30 代码：R-PDIP-T32
JESD-609代码：e3长度：42.05 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.59 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
类型：NOR TYPE宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

AT49HF010-45PJ 数据手册

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Features  
Single Voltage Operation  
•
- 5V Read  
- 5V Reprogramming  
Fast Read Access Time - 45 ns  
Internal Program Control and Timer  
8K bytes Boot Block With Lockout  
Fast Erase Cycle Time - 10 seconds  
Byte By Byte Programming - 10 µs/Byte  
Hardware Data Protection  
DATA Polling For End Of Program Detection  
Low Power Dissipation  
•
•
•
•
•
•
1-Megabit  
(128K x 8)  
5-volt Only  
CMOS Flash  
Memory  
•
•
- 30 mA Active Current  
- 100 µA CMOS Standby Current  
Typical 10,000 Write Cycles  
•
Description  
The AT49F010/HF010 are 5-volt-only in-system programmable and erasable Flash  
Memories. Their 1-megabit of memory is organized as 131,072 words by 8 bits. Manu-  
factured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the devices offer ac-  
cess times to 45 ns (HF version) with a power dissipation of just 165 mW over the  
commercial temperature range. When the device is deselected, the CMOS standby  
current is less than 100 µA.  
AT49F010  
AT49HF010  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT49F010/HF010 does not re-  
quire high input voltages for programming. Five-volt-only commands determine the  
read and programming operation of the device. Reading data out of the device is  
similar to reading from an EPROM. Reprogramming the AT49F010/HF010 is per-  
formed by erasing the entire 1 megabit of memory and then programming on a byte  
by byte basis. The byte programming time is a fast 50 µs. The end of a program cycle  
can be optionally detected by the DATA polling feature. Once the end of a byte pro-  
AT49F010/HF010  
(continued)  
DIP Top View  
Pin Configurations  
Pin Name Function  
A0 - A16  
CE  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
OE  
WE  
I/O0 - I/O7 Data Inputs/Outputs  
NC  
No Connect  
PLCC Top View  
TSOP Top View  
Type 1  
0852AX–5/97  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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