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Datasheet > 存储 > 闪存> AT49F8192AT-90TI
AT49F8192AT-90TI PDF预览

AT49F8192AT-90TI

更新时间： 2024-09-21 04:49:51
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存存储内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM
页数 文件大小 规格书
18页 170K
描述
8-megabit (1M x 8/512K x 16) Flash Memory

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AT49F8192AT-90TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：PLASTIC, TSOP 1-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.73Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：HARDWARE DATA PROTECTION
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,992K最大待机电流：0.0003 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

AT49F8192AT-90TI 数据手册

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Features  
• Single-voltage Operation  
– 5V Read  
– 5V Programming  
• Fast Read Access Time – 70 ns  
• Internal Erase/Program Control  
• Sector Architecture  
– One 8K Word (16K Bytes) Boot Block with Programming Lockout  
– Two 4K Word (8K Bytes) Parameter Blocks  
– One 496K Word (992K Bytes) Main Memory Array Block  
• Fast Sector Erase Time – 10 seconds  
• Byte-by-byte or Word-by-word Programming – 10 µs Typical  
• Hardware Data Protection  
• Data Polling for End of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
– 50 mA Active Current  
– 100 µA CMOS Standby Current  
• Typical 10,000 Write Cycles  
8-megabit  
(1M x 8/  
512K x 16)  
Flash Memory  
Description  
AT49F008A  
The AT49F008A(T) and AT49F8192A(T) are 5-volt, 8-megabit Flash memories orga-  
nized as 1,048,576 words of 8 bits each or 512K words of 16 bits each. Manufactured  
with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the devices offer access times  
to 90 ns with power dissipation of just 275 mW. When deselected, the CMOS standby  
current is less than 100 µA.  
AT49F008AT  
AT49F8192A  
AT49F8192AT  
The device contains a user-enabled “boot block” protection feature. Two versions of  
the feature are available: the AT49F008A/8192A locates the boot block at lowest  
order addresses (“bottom boot”); the AT49F008AT/8192AT locates it at highest order  
addresses (“top boot”).  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT49F008A(T)/8192A(T) does  
not require high-input voltages for programming. Reading data out of the device is  
similar to reading from an EPROM; it has standard CE, OE and WE inputs to avoid  
bus contention. Reprogramming the AT49F008A(T)/8192A(T) is performed by first  
erasing a block of data and then programming on a byte-by-byte or word-by-word  
basis.  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A18  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
OE  
WE  
RESET  
RDY/BUSY  
I/O0 - I/O14  
Ready/Busy Output  
Data Inputs/Outputs  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode)  
A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
I/O15 (A-1)  
BYTE  
NC  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
Rev. 1199G–FLASH–11/02  
1234567...18

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AT49F8192AT-90TI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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 8M (1M X 8/512K X 16) BIT

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT49F8192T ATMEL

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 		8-Megabit 512K x 16 5-volt Only CMOS Flash Memory
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 		8-Megabit 512K x 16 5-volt Only CMOS Flash Memory
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 		8-Megabit 512K x 16 5-volt Only CMOS Flash Memory
AT49F8192T-12RL ATMEL

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 		Flash, 512KX16, 120ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SOIC-44
AT49F8192T-12TC ATMEL

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