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Datasheet > 存储 > 闪存> AT49F8011-90CI
AT49F8011-90CI PDF预览

AT49F8011-90CI

更新时间： 2024-11-23 21:56:47
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 225K
描述
8-megabit (512K x 16/ 1M x 8) 5-volt Only Flash Memory

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AT49F8011-90CI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：90 ns其他特性：CONFIGURABLE AS 512K X 16
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：S-PBGA-B48JESD-609代码：e0
长度：8 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：2,4,2,14
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.00001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

AT49F8011-90CI 数据手册

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Features  
• 4.5V to 5.5V Read/Write  
• Access Time - 70 ns  
• Sector Erase Architecture  
– Fourteen 32K Word (64K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Two 16K Word (32K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Two 8K Word (16K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Four 4K Word (8K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
• Fast Word Program Time - 10 µs  
• Fast Sector Erase Time - 200 ms  
• Dual Plane Organization, Permitting Concurrent Read while Program/Erase  
– Memory Plane A: Four 4K Word, Two 8K Word and Two 16K Word Sectors  
– Memory Plane B: Fourteen 32K Word Sectors  
• Erase Suspend Capability  
– Supports Reading/Programming Data from Any Sector by Suspending Erase of  
Any Different Sector  
• Low-power Operation  
8-megabit  
(512K x 16/  
1M x 8)  
5-volt Only  
Flash Memory  
– 40 mA Active  
– 10 µA Standby  
• Data Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection  
• RESET Input for Device Initialization  
• Sector Program Unlock Command  
• TSOP and CBGA Package Options  
• Top or Bottom Boot Block Configuration Available  
AT49F8011  
AT49F8011T  
Description  
The AT49F8011(T) is a 5.0 volt 8-megabit Flash memory organized as 524,288 words  
of 16 bits each or 1,048,576 bytes of 8 bits each. The x16 data appears on I/O0 -  
I/O15; the x8 data appears on I/O0 - I/O7. The memory is divided into 22 sectors for  
erase operations. The device is offered in 48-pin TSOP and 48-ball CBGA packages.  
The device has CE, and OE control signals to avoid any bus contention. This device  
can be read or reprogrammed using a single 5.0V power supply, making it ideally  
suited for in-system programming.  
Not Recommended  
for New Designs  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A18  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
OE  
WE  
RESET  
RDY/BUSY  
I/O0 - I/O14  
I/O15 (A-1)  
READY/BUSY Output  
Data Inputs/Outputs  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode)  
A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
BYTE  
NC  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
DC  
Don’t Connect  
1264D–FLASH–5/03  
1234567...20

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