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AT49F512-70TU

更新时间： 2024-09-21 21:07:43
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 249K
描述
Flash, 64KX8, 70ns, PDSO32, 8 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32

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AT49F512-70TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：8 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.79最长访问时间：70 ns
其他特性：HARDWARE DATA PROTECTION启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
部门数/规模：1,1端子数量：32
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,56K
最大待机电流：0.0003 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

AT49F512-70TU 数据手册

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Features  
• Single Voltage Operation  
– 5V Read  
– 5V Reprogramming  
• Fast Read Access Time – 55 ns  
• Internal Program Control and Timer  
• 8K Bytes Boot Block With Lockout  
• Fast Erase Cycle Time – 10 Seconds  
• Byte-by-byte Programming – 10 µs/Byte  
• Hardware Data Protection  
• DATA Polling For End of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
512K (64K x 8)  
5-volt Only  
Flash Memory  
– 30 mA Active Current  
– 100 µA CMOS Standby Current  
• Typical 10,000 Write Cycles  
• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option  
AT49F512  
1. Description  
The AT49F512 is a 5-volt-only in-system programmable and erasable Flash memory.  
Its 512K of memory is organized as 65,536 words by 8 bits. Manufactured with  
Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the devices offer access times to  
55 ns with a power dissipation of just 165 mW over the commercial temperature  
range. When the device is deselected, the CMOS standby current is less than 100 µA.  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT49F512 does not require high  
input voltages for programming. Five-volt-only commands determine the read and  
programming operation of the device. Reading data out of the device is similar to  
reading from an EPROM. Reprogramming the AT49F512 is performed by erasing the  
entire 512K of memory and then programming on a byte-by-byte basis. The typical  
byte programming time is a fast 10 µs. The end of a program cycle can be optionally  
detected by the DATA polling feature. Once the end of a byte program cycle has been  
detected, a new access for a read or program can begin. The typical number of pro-  
gram and erase cycles is in excess of 10,000 cycles.  
The optional 8K bytes boot block section includes a reprogramming write lock out fea-  
ture to provide data integrity. The boot sector is designed to contain user secure code,  
and when the feature is enabled, the boot sector is permanently protected from being  
reprogrammed.  
1027H–FLASH–10/05  
1234567...18

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AT49F512-70TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT49F512-70TI ATMEL

完全替代

 512K 64K x 8 5-volt Only Flash Memory
AT49F512-70TC ATMEL

完全替代

 512K 64K x 8 5-volt Only Flash Memory
AT29C512-70TI ATMEL

完全替代

 512K (64K x 8) 5-volt Only Flash Memory

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT49F512-70VC ATMEL

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 		512K 64K x 8 5-volt Only Flash Memory
AT49F512-70VI ATMEL

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 		512K 64K x 8 5-volt Only Flash Memory
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 		Flash, 64KX8, 70ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, VSOP-32
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 		512K 64K x 8 5-volt Only Flash Memory
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