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AT49F512-55VU

更新时间： 2024-09-21 21:07:43
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 249K
描述
Flash, 64KX8, 55ns, PDSO32, 8 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-142BA, VSOP1-32

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AT49F512-55VU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：8 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-142BA, VSOP1-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.82最长访问时间：55 ns
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3长度：12.4 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：1,1
端子数量：32字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP32,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,56K最大待机电流：0.0003 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

AT49F512-55VU 数据手册

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Features  
• Single Voltage Operation  
– 5V Read  
– 5V Reprogramming  
• Fast Read Access Time – 55 ns  
• Internal Program Control and Timer  
• 8K Bytes Boot Block With Lockout  
• Fast Erase Cycle Time – 10 Seconds  
• Byte-by-byte Programming – 10 µs/Byte  
• Hardware Data Protection  
• DATA Polling For End of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
512K (64K x 8)  
5-volt Only  
Flash Memory  
– 30 mA Active Current  
– 100 µA CMOS Standby Current  
• Typical 10,000 Write Cycles  
• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option  
AT49F512  
1. Description  
The AT49F512 is a 5-volt-only in-system programmable and erasable Flash memory.  
Its 512K of memory is organized as 65,536 words by 8 bits. Manufactured with  
Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the devices offer access times to  
55 ns with a power dissipation of just 165 mW over the commercial temperature  
range. When the device is deselected, the CMOS standby current is less than 100 µA.  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT49F512 does not require high  
input voltages for programming. Five-volt-only commands determine the read and  
programming operation of the device. Reading data out of the device is similar to  
reading from an EPROM. Reprogramming the AT49F512 is performed by erasing the  
entire 512K of memory and then programming on a byte-by-byte basis. The typical  
byte programming time is a fast 10 µs. The end of a program cycle can be optionally  
detected by the DATA polling feature. Once the end of a byte program cycle has been  
detected, a new access for a read or program can begin. The typical number of pro-  
gram and erase cycles is in excess of 10,000 cycles.  
The optional 8K bytes boot block section includes a reprogramming write lock out fea-  
ture to provide data integrity. The boot sector is designed to contain user secure code,  
and when the feature is enabled, the boot sector is permanently protected from being  
reprogrammed.  
1027H–FLASH–10/05  
1234567...18

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