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AT49F4096AT-55TC PDF预览

AT49F4096AT-55TC

更新时间： 2024-11-23 22:56:39
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存
页数 文件大小 规格书
15页 246K
描述
4-Megabit 512K x 8/ 256K x 16 CMOS Flash Memory

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AT49F4096AT-55TC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：PLASTIC, MO-142DD, TSOP1-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.74最长访问时间：55 ns
其他特性：BYTE PROGRAMMABLE; HARDWARE DATA PROTECTION; TOP BOOT BLOCK; CONFIGURABLE AS 256K X 16备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,480K
最大待机电流：0.0003 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

AT49F4096AT-55TC 数据手册

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Features  
• Single Voltage Operation  
– 5V Read  
– 5V Programming  
• Fast Read Access Time - 55 ns  
• Internal Erase/Program Control  
• Sector Architecture  
– One 8K Words (16K bytes) Boot Block with Programming Lockout  
– Two 4K Words (8K bytes) Parameter Blocks  
– One 240K Words (480K bytes) Main Memory Array Block  
• Fast Sector Erase Time - 10 seconds  
• Byte-by-Byte or Word-By-Word Programming - 10 µs Typical  
• Hardware Data Protection  
• DATA Polling For End Of Program Detection  
• Low-Power Dissipation  
– 50 mA Active Current  
– 300 µA CMOS Standby Current  
• Typical 10,000 Write Cycles  
4-Megabit  
(512K x 8/  
256K x 16)  
CMOS Flash  
Memory  
Description  
The AT49F004(T) and AT49F4096A(T) are 5-volt, 4-megabit Flash Memories orga-  
nized as 524,288 words of 8 bits each or 256K words of 16 bits each. Manufactured  
with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the devices offer access times  
to 55 ns with power dissipation of just 275 mW. When deselected, the CMOS standby  
current is less than 300 µA.  
AT49F004  
AT49F004T  
AT49F4096A  
AT49F4096AT  
Preliminary  
The device contains a user-enabled “boot block” protection feature. Two versions of  
the feature are available: the AT49F004/4096A locates the boot block at lowest order  
addresses (“bottom boot”); the AT49F004T/4096AT locates it at highest order  
addresses (“top boot”).  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT49F004(T)/4096A(T) does not  
require high input voltages for programming. Reading data out of the device is similar  
to reading from an EPROM; it has standard CE, OE, and WE inputs to avoid bus con-  
tention. Reprogramming the AT49F004(T)/4096A(T) is performed by first erasing a  
(continued)  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A18  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
OE  
WE  
RESET  
RDY/BUSY  
Ready/Busy Output  
I/O0 - I/O14 Data Inputs/Outputs  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode)  
I/O15(A-1)  
A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
BYTE  
NC  
Rev. 1167A–09/98  
1234567...15

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