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Datasheet > 存储 > 闪存> AT49BV3218T-11CI
AT49BV3218T-11CI PDF预览

AT49BV3218T-11CI

更新时间： 2024-10-31 05:07:15
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存存储内存集成电路异步传输模式ATM
页数 文件大小 规格书
25页 223K
描述
32-megabit (2M x 16/4M x 8) 3-volt Only Flash Memory

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AT49BV3218T-11CI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：11 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.91Is Samacsys：N
最长访问时间：110 ns其他特性：TOP OR BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e0
长度：11 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
部门数/规模：8,63端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：2.7/3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,64K最大待机电流：0.00001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.65 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

AT49BV3218T-11CI 数据手册

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Features  
• Single Voltage Read/Write Operation: 2.65V to 3.3V (BV), 3.0V to 3.6V (LV)  
• Access Time – 85 ns  
• Sector Erase Architecture  
– Sixty-three 32K Word (64K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Eight 4K Word (8K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
• Fast Word Program Time – 15 µs  
• Fast Sector Erase Time – 200 ms  
• Dual-plane Organization, Permitting Concurrent Read while Program/Erase  
Memory Plane A: Eight 4K Word and Fifteen 32K Word Sectors  
Memory Plane B: Forty-eight 32K Word Sectors  
• Erase Suspend Capability  
– Supports Reading/Programming Data from Any Sector by Suspending Erase of  
Any Different Sector  
• Low-power Operation  
32-megabit  
(2M x 16/4M x 8)  
3-volt Only  
– 25 mA Active  
– 10 µA Standby  
• Data Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection  
• RESET Input for Device Initialization  
• Sector Lockdown Support  
Flash Memory  
• TSOP and CBGA Package Options  
• Top or Bottom Boot Block Configuration Available  
• 128-bit Protection Register  
AT49BV3218  
AT49BV3218T  
AT49LV3218  
AT49LV3218T  
Description  
The AT49BV/LV3218(T) is a 2.65- to 3.3-volt (BV)/3.0V to 3.6V (LV) 32-megabit Flash  
memory organized as 2,097,152 words of 16 bits each or 4,194,304 bytes of 8 bits  
each. The x16 data appears on I/O0 - I/O15; the x8 data appears on I/O0 - I/O7. The  
memory is divided into 71 sectors for erase operations. The device is offered in 48-  
lead TSOP and 48-ball CBGA packages. The device has CE and OE control signals to  
avoid any bus contention. This device can be read or reprogrammed using a single  
2.65V power supply, making it ideally suited for in-system programming.  
Not Recommended for  
New Designs. New  
Designs Should Use  
AT49BV/LV320(T)/321(T)  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A20  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
OE  
Output Enable  
WE  
Write Enable  
RESET  
RDY/BUSY  
VPP  
Reset  
READY/BUSY Output  
Optional Power Supply  
I/O0 - I/O14  
I/O15 (A-1)  
BYTE  
Data Inputs/Outputs  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode) A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
NC  
Rev. 2452F–FLASH–10/02  
1234567...25

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与AT49BV3218T-11CI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT49BV3218T-11CJ ATMEL

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 		Flash, 2MX16, 110ns, PBGA48, 11 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-48
AT49BV3218T-11TI ATMEL

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 		32-megabit (2M x 16/4M x 8) 3-volt Only Flash Memory
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 		Flash, 2MX16, 85ns, PBGA48, 11 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-48
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