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Datasheet > 存储 > 闪存> AT49BV040T-20TI
AT49BV040T-20TI PDF预览

AT49BV040T-20TI

更新时间： 2024-09-19 23:04:23
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存电池存储内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM
页数 文件大小 规格书
12页 214K
描述
4-Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory

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AT49BV040T-20TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.88Is Samacsys：N
最长访问时间：200 ns其他特性：HARDWARE DATA PROTECTION
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：1,1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,496K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

AT49BV040T-20TI 数据手册

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Features  
• Single Voltage for Read and Write: 2.7V to 3.6V (BV), 3.0V to 3.6V (LV)  
• Fast Read Access Time - 120 ns  
• Internal Program Control and Timer  
• 16K bytes Boot Block With Lockout  
• Fast Chip Erase Cycle Time - 10 seconds  
• Byte-by-Byte Programming - 30 µs/Byte Typical  
• Hardware Data Protection  
• DATA Polling For End Of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
– 25 mA Active Current  
– 50 µA CMOS Standby Current  
• Typical 10,000 Write Cycles  
• Small Packaging  
4-Megabit  
(512K x 8)  
– 8 x 8 mm CBGA  
Single 2.7-volt  
Battery-Voltage™  
Flash Memory  
– 8 x 14 mm V-TSOP  
Description  
The AT49BV/LV040 are 3-volt-only, 4-megabit Flash memories organized as 524,288  
words of 8-bits each. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS tech-  
nology, the devices offer access times to 120 ns with power dissipation of just 90 mW  
over the commercial temperature range. When the device is deselected, the CMOS  
standby current is less than 50 µA.  
AT49BV040  
AT49BV040T  
AT49LV040  
The device contains a user-enabled “boot block” protection feature. Two versions of  
the feature are available: the AT49BV/LV040 locates the boot block at lowest order  
addresses (“bottom boot”); the AT49BV/LV040T locates it at highest order addresses  
(“top boot”).  
AT49LV040T  
(continued)  
CBGA Top View  
Pin Configurations  
1
2
3
4
5
6
7
Pin Name Function  
A
B
C
D
E
F
A0 - A18  
CE  
Addresses  
GND I/O6 VCC VCC I/O2 OE GND  
A17 I/O7 I/O4 NC NC I/O0 CE  
A10 NC I/O5 NC I/O3 I/O1 A0  
A14 A13 A9 NC NC A6 A3  
A16 A11 WE NC A7 A4 A1  
A15 A12 A8 NC A18 A5 A2  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
OE  
WE  
I/O0 - I/O7 Data Inputs/Outputs  
PLCC Top View  
V - TSOP Top View (8 x 14 mm) or  
T - TSOP Top View (8 x 20 mm)  
0679AX-A–9/97  
1234567...12

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与AT49BV040T-20TI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT49BV040T-20VC ATMEL

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 		4-Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV040T-20VI ATMEL

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 		4-Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV040T-90JC ETC

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 		x8 Flash EEPROM
AT49BV040T-90JI ATMEL

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 		Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
AT49BV040T-90TC ETC

获取价格

 		x8 Flash EEPROM
AT49BV040T-90TI ETC

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 		x8 Flash EEPROM
AT49BV040T-90VC ATMEL

获取价格

 		Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, MO-142BA, VSOP-32
AT49BV040T-90VI ATMEL

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 		Flash, 512KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, PLASTIC, MO-142BA, VSOP-32
AT49BV080 ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT49BV080-12CC ATMEL

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 		8-Megabit 1M x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory

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