是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 8 X 8 MM, PLASTIC, CBGA-42 |
针数: | 42 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | HARDWARE DATA PROTECTION | 启动块: | TOP |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B42 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,1 |
端子数量: | 42 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA42,6X7,40 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
部门规模: | 16K,496K | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT49BV040T-20JC | ATMEL |
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4-Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV040T-20JI | ATMEL |
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4-Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV040T-20TC | ATMEL |
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4-Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV040T-20TI | ATMEL |
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4-Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV040T-20VC | ATMEL |
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4-Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV040T-20VI | ATMEL |
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4-Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory | |
AT49BV040T-90JC | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AT49BV040T-90JI | ATMEL |
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Flash, 512KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 | |
AT49BV040T-90TC | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
AT49BV040T-90TI | ETC |
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x8 Flash EEPROM |