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AT45DB321E-MHD-T PDF预览

AT45DB321E-MHD-T

更新时间： 2024-02-02 05:15:48
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
71页 2393K
描述
Flash, 32MX1, PDSO8, 5 X 6 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-229, UDFN-8

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AT45DB321E-MHD-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SON包装说明：5 X 6 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-229, UDFN-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.65最大时钟频率 (fCLK)：85 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e4
长度：6 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：1
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32MX1封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVSON封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260编程电压：2.7 V
座面最大高度：0.6 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：5 mm
Base Number Matches：1

AT45DB321E-MHD-T 数据手册

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Atmel AT45DB321E  
32-Mbit DataFlash (with Extra 1-Mbits), 2.3V or 2.5V Minimum  
SPI Serial Flash Memory  
PRELIMINARY DATASHEET  
See Errata Section 30.  
Features  
Single 2.3V - 3.6V or 2.5V - 3.6V supply  
Serial Peripheral Interface (SPI) compatible  
Supports SPI modes 0 and 3  
Supports Atmel® RapidS™ operation  
Continuous read capability through entire array  
Up to 85MHz  
Low-power read option up to 10MHz  
Clock-to-output time (tV) of 6ns maximum  
User configurable page size  
512 bytes per page  
528 bytes per page (default)  
Page size can be factory pre-configured for 512 bytes  
Two fully independent SRAM data buffers (512/528 bytes)  
Flexible programming options  
Byte/Page Program (1 to 512/528 bytes) directly into main memory  
Buffer Write  
Buffer to Main Memory Page Program  
Flexible erase options  
Page Erase (512/528 bytes)  
Block Erase (4KB)  
Sector Erase (64KB)  
Chip Erase (32-Mbits)  
Program and Erase Suspend/Resume  
Advanced hardware and software data protection features  
Individual sector protection  
Individual sector lockdown to make any sector permanently read-only  
128-byte, One-Time Programmable (OTP) Security Register  
64 bytes factory programmed with a unique identifier  
64 bytes user programmable  
Hardware and software controlled reset options  
JEDEC Standard Manufacturer and Device ID Read  
Low-power dissipation  
500nA Ultra-Deep Power-Down current (typical)  
3μA Deep Power-Down current (typical)  
25μA Standby current (typical)  
11mA Active Read current (typical)  
Endurance: 100,000 program/erase cycles per page minimum  
Data retention: 20 years  
Green (Pb/Halide-free/RoHS compliant) packaging options  
8-lead SOIC (0.208" wide)  
8-pad Ultra-thin DFN (5 x 6 x 0.6mm)  
9-ball Ultra-thin UBGA (6 x 6 x 0.6mm)  
8784A–DFLASH–8/12  
1234567...71

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