5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 45 V |
| 二极管电容容差： | 10% | 最小二极管电容比： | 5.8 |
| 标称二极管电容： | 8.2 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | O-CEMW-N2 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | MICROWAVE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 1600 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 变容二极管分类： | ABRUPT | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT4513 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT451301 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT451310 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT451311 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT451315 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, DO-7, |
|
| AT451320 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT451321 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT451331 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT451383 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT451384 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, L Band, 10pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
