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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CXMW-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| 最小击穿电压： | 30 V | 二极管电容容差： | 10% |
| 最小二极管电容比： | 4.7 | 标称二极管电容： | 33 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | O-CXMW-F2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | MICROWAVE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小质量因数： | 1400 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 变容二极管分类： | ABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT301931 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, S |
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| AT301983 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, S |
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| AT301984 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, S |
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| AT302 | POSEICO |
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PHASE CONTROL THYRISTOR |
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| AT-302 | ETC |
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Voltage Variable Absorptive Attenuator， 19 dB |
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| AT3020 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
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| AT302001 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT302010 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
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| AT302011 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT302015 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, |
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