5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-CEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.68 |
| 最小击穿电压： | 30 V | 二极管电容容差： | 10% |
| 最小二极管电容比： | 3.7 | 标称二极管电容： | 2.2 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | C BAND | JESD-30 代码： | O-CEMW-N2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | MICROWAVE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小质量因数： | 3400 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 变容二极管分类： | ABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT300521 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT300531 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT300583 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT300584 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT3006 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.7pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT300601 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.7pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT300610 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.7pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT300611 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.7pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
| AT300615 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.7pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, |
|
| AT300620 | ASI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, C Band, 2.7pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
