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AT29LV020-20JU

更新时间： 2024-09-20 06:38:19

品牌	Logo	应用领域
爱特美尔 - ATMEL		闪存存储内存集成电路异步传输模式 ATM
页数	文件大小	规格书
16页	388K
描述
2-megabit (256K x 8) 3-volt Only Flash Memory

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AT29LV020-20JU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	200 ns	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e3
长度：	13.97 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
部门数/规模：	1K	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	245
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.556 mm
部门规模：	256	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	20 ms	Base Number Matches：	1

AT29LV020-20JU 数据手册

Features

• Single Voltage, Range 3V to 3.6V Supply

• 3-volt Only Read and Write Operation

• Software Protected Programming

• Fast Read Access Time – 100 ns

• Low Power Dissipation

– 15 mA Active Current

– 50 µA CMOS Standby Current

• Sector Program Operation

2-megabit

(256K x 8)

3-volt Only

Flash Memory

– Single Cycle Reprogram (Erase and Program)

– 1024 Sectors (256 Bytes/Sector)

– Internal Address and Data Latches for 256 Bytes

• Two 8K Bytes Boot Blocks with Lockout

• Fast Sector Program Cycle Time – 20 ms

• Internal Program Control and Timer

• DATA Polling for End of Program Detection

• Typical Endurance > 10,000 Cycles

• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs

• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option

AT29LV020

1. Description

The AT29LV020 is a 3-volt-only in-system Flash programmable and erasable read

only memory (PEROM). Its 2 megabits of memory is organized as 262,144 bytes by

8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device

offers access times to 100 ns with power dissipation of just 54 mW over the industrial

temperature range. When the device is deselected, the CMOS standby current is less

than 50 µA. The device endurance is such that any sector can typically be written to in

excess of 10,000 times.

To allow for simple in-system reprogrammability, the AT29LV020 does not require

high input voltages for programming. Five-volt-only commands determine the opera-

tion of the device. Reading data out of the device is similar to reading from an

EPROM. Reprogramming the AT29LV020 is performed on a sector basis; 256 bytes

of data are loaded into the device and then simultaneously programmed.

During a reprogram cycle, the address locations and 256 bytes of data are captured at

microprocessor speed and internally latched, freeing the address and data bus for

other operations. Following the initiation of a program cycle, the device will automati-

cally erase the sector and then program the latched data using an internal control

timer. The end of a program cycle can be detected by DATA polling of I/O7. Once the

end of a program cycle has been detected, a new access for a read or program can

begin.

0565E–FLASH–9/08

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT29LV020-20JUT/R	ATMEL	获取价格	Flash, 256KX8, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT29LV020-20PC	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AT29LV020-20PI	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AT29LV020-20TC	ATMEL	获取价格	2 Megabit 256K x 8 3-volt Only CMOS Flash Memory
AT29LV020-20TCT/R	ATMEL	获取价格	Flash, 256KX8, 200ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT29LV020-20TI	ATMEL	获取价格	2 Megabit 256K x 8 3-volt Only CMOS Flash Memory
AT29LV020-20TIT/R	ATMEL	获取价格	Flash, 256KX8, 200ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT29LV020-20TU	ATMEL	获取价格	2-megabit (256K x 8) 3-volt Only Flash Memory
AT29LV020-20TUT/R	ATMEL	获取价格	Flash, 256KX8, 200ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT29LV020-25	ATMEL	获取价格	2 Megabit 256K x 8 3-volt Only CMOS Flash Memory

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