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AT29LV020-10TU PDF预览

AT29LV020-10TU

更新时间： 2024-11-24 06:38:19
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存存储内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM
页数 文件大小 规格书
16页 388K
描述
2-megabit (256K x 8) 3-volt Only Flash Memory

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AT29LV020-10TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：8 X 20 MM, LEAD AND HALIDE FREE, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.81Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：NO数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
部门数/规模：1K端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：256
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：8 mm最长写入周期时间 (tWC)：20 ms
Base Number Matches：1

AT29LV020-10TU 数据手册

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Features  
• Single Voltage, Range 3V to 3.6V Supply  
• 3-volt Only Read and Write Operation  
• Software Protected Programming  
• Fast Read Access Time – 100 ns  
• Low Power Dissipation  
– 15 mA Active Current  
– 50 µA CMOS Standby Current  
• Sector Program Operation  
2-megabit  
(256K x 8)  
3-volt Only  
Flash Memory  
– Single Cycle Reprogram (Erase and Program)  
– 1024 Sectors (256 Bytes/Sector)  
– Internal Address and Data Latches for 256 Bytes  
• Two 8K Bytes Boot Blocks with Lockout  
• Fast Sector Program Cycle Time – 20 ms  
• Internal Program Control and Timer  
• DATA Polling for End of Program Detection  
• Typical Endurance > 10,000 Cycles  
• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option  
AT29LV020  
1. Description  
The AT29LV020 is a 3-volt-only in-system Flash programmable and erasable read  
only memory (PEROM). Its 2 megabits of memory is organized as 262,144 bytes by  
8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device  
offers access times to 100 ns with power dissipation of just 54 mW over the industrial  
temperature range. When the device is deselected, the CMOS standby current is less  
than 50 µA. The device endurance is such that any sector can typically be written to in  
excess of 10,000 times.  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT29LV020 does not require  
high input voltages for programming. Five-volt-only commands determine the opera-  
tion of the device. Reading data out of the device is similar to reading from an  
EPROM. Reprogramming the AT29LV020 is performed on a sector basis; 256 bytes  
of data are loaded into the device and then simultaneously programmed.  
During a reprogram cycle, the address locations and 256 bytes of data are captured at  
microprocessor speed and internally latched, freeing the address and data bus for  
other operations. Following the initiation of a program cycle, the device will automati-  
cally erase the sector and then program the latched data using an internal control  
timer. The end of a program cycle can be detected by DATA polling of I/O7. Once the  
end of a program cycle has been detected, a new access for a read or program can  
begin.  
0565E–FLASH–9/08  
1234567...16

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AT29LV020-10TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT29LV020-10TI ATMEL

功能相似

 Flash, 256KX8, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32

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