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Datasheet > 存储 > 闪存> AT29C010A-90JI
AT29C010A-90JI PDF预览

AT29C010A-90JI

更新时间： 2024-11-07 22:25:47
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存存储内存集成电路异步传输模式ATM
页数 文件大小 规格书
12页 731K
描述
1 Megabit 128K x 8 5-volt Only CMOS Flash Memory

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AT29C010A-90JI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFJ
包装说明：PLASTIC, MS-016AE, LCC-32针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：8.73
最长访问时间：90 ns启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：NO数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e0
长度：13.97 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：2功能数量：1
部门数/规模：1,1,1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
部门规模：8K,112K,8K最大待机电流：0.00003 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

AT29C010A-90JI 数据手册

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AT29C010A  
Features  
Fast Read Access Time - 70 ns  
5-Volt-Only Reprogramming  
Sector Program Operation  
•
•
•
Single Cycle Reprogram (Erase and Program)  
1024 Sectors (128 bytes/sector)  
Internal Address and Data Latches for 128-Bytes  
Two 8 KB Boot Blocks with Lockout  
Internal Program Control and Timer  
Hardware and Software Data Protection  
Fast Sector Program Cycle Time - 10 ms  
DATA Polling for End of Program Detection  
Low Power Dissipation  
•
•
•
1 Megabit  
(128K x 8)  
5-volt Only  
CMOS Flash  
Memory  
•
•
•
50 mA Active Current  
100 µA CMOS Standby Current  
Typical Endurance > 10,000 Cycles  
Single 5V ±10% Supply  
CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
•
•
•
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
•
Description  
The AT29C010A is a 5-volt-only in-system Flash programmable and erasable read  
only memory (PEROM). Its 1 megabit of memory is organized as 131,072 words by 8  
bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device  
offers access times to 70 ns with power dissipation of just 275 mW over the commer-  
cial temperature range. When the device is deselected, the CMOS standby current is  
less than 100 µA. The device endurance is such that any sector can typically be writ-  
ten to in excess of 10,000 times.  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT29C010A does not require  
high input voltages for programming. Five-volt-only commands determine the opera-  
AT29C010A  
(continued)  
Pin Configurations  
DIP Top View  
Pin Name Function  
A0 - A16  
CE  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
OE  
WE  
I/O0 - I/O7 Data Inputs/Outputs  
NC  
No Connect  
PLCC Top View  
TSOP Top View  
Type 1  
0394B  
4-129  
1234567...12

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AT29C010A-90JI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT29C010A-90JU ATMEL

完全替代

 1-megabit (128K x 8) 5-volt Only Flash Memory
AT29C010A-90JC ATMEL

完全替代

 1 Megabit 128K x 8 5-volt Only CMOS Flash Memory

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT29C010A-90JU ATMEL

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 		1-megabit (128K x 8) 5-volt Only Flash Memory
AT29C010A-90LC ETC

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AT29C010A-90LI ETC

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 		x8 Flash EEPROM
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