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Datasheet > 存储 > 闪存> AT29BV040A-20TI
AT29BV040A-20TI PDF预览

AT29BV040A-20TI

更新时间： 2024-11-10 04:33:11
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存电池
页数 文件大小 规格书
14页 169K
描述
4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory

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AT29BV040A-20TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.88最长访问时间：200 ns
启动块：BOTTOM/TOP命令用户界面：NO
数据轮询：YES耐久性：10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
部门数/规模：2K端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：256 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：256最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：20 msBase Number Matches：1

AT29BV040A-20TI 数据手册

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Features  
• Single Supply Voltage, Range 2.7V to 3.6V  
• Single Supply for Read and Write  
• Software Protected Programming  
• Fast Read Access Time – 200 ns  
• Low Power Dissipation  
– 15 mA Active Current  
– 40 µA CMOS Standby Current  
• Sector Program Operation  
– Single Cycle Reprogram (Erase and Program)  
– 2048 Sectors (256 Bytes/Sector)  
4-megabit  
(512K x 8)  
Single 2.7-volt  
Battery-Voltage™  
Flash Memory  
– Internal Address and Data Latches for 256 Bytes  
• Two 16K Bytes Boot Blocks with Lockout  
• Fast Sector Program Cycle Time – 20 ms Max.  
• Internal Program Control and Timer  
• DATA Polling for End of Program Detection  
• Minimum Endurance 10,000 Cycles  
• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
• Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Description  
The AT29BV040A is a 3-volt-only in-system Flash Programmable and Erasable Read  
Only Memory (PEROM). Its 4 megabits of memory is organized as 524,288 words by  
8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS EEPROM technology,  
the device offers access times to 200 ns, and a low 54 mW power dissipation. When  
the device is deselected, the CMOS standby current is less than 40 µA. The device  
AT29BV040A  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A18  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
No Connect  
OE  
WE  
I/O0 - I/O7  
NC  
TSOP Top View  
Type 1  
A11  
A9  
1
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
OE  
2
A10  
CE  
A8  
3
A13  
A14  
A17  
WE  
VCC  
A18  
A16  
A15  
A12  
A7  
4
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A6  
A1  
A5  
A2  
Rev. 0383G–FLASH–5/03  
A4  
A3  
1234567...14

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AT29BV040A-20TI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT29BV040A-20TU ATMEL

完全替代

 4-megabit (512K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT29BV040A-20TC ATMEL

功能相似

 4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT29BV040A-20TU ATMEL

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 		4-megabit (512K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
AT29BV040A-25 ATMEL

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 		4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
AT29BV040A-25CC ETC

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 		EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|BGA|32PIN|PLASTIC
AT29BV040A-25CI ETC

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 		EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|BGA|32PIN|PLASTIC
AT29BV040A-25TC ATMEL

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 		4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
AT29BV040A-25TCT/R ATMEL

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 		Flash, 512KX8, 250ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT29BV040A-25TI ATMEL

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 		4 Megabit 512K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash Memory
AT29BV040A-25TIT/R ATMEL

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 		Flash, 512KX8, 250ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT29BV040A-25TU ATMEL

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 		Flash, 512KX8, 250ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
AT29BV040A-25TUT/R ATMEL

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 		Flash, 512KX8, 250ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32

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