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Datasheet > 存储 > 闪存> AT29BV010A-25TI
AT29BV010A-25TI PDF预览

AT29BV010A-25TI

更新时间： 2024-11-29 22:39:15
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存电池
页数 文件大小 规格书
10页 494K
描述
1 Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash

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AT29BV010A-25TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.86最长访问时间：250 ns
启动块：BOTTOM/TOP命令用户界面：NO
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1部门数/规模：1,1,1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,112K,8K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：20 msBase Number Matches：1

AT29BV010A-25TI 数据手册

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AT29BV010A  
Features  
Single Supply Voltage, Range 2.7V to 3.6V  
Single Supply for Read and Write  
Software Protected Programming  
Fast Read Access Time - 200 ns  
•
•
•
•
Low Power Dissipation  
•
15 mA Active Current  
20 µA CMOS Standby Current  
Sector Program Operation  
•
Single Cycle Reprogram (Erase and Program)  
1024 Sectors (128 bytes/sector)  
1 Megabit  
(128K x 8)  
Internal Address and Data Latches for 128-Bytes  
Two 8 KB Boot Blocks with Lockout  
Fast Sector Program Cycle Time - 20 ms Max.  
•
•
Single 2.7-volt  
Battery-Voltage  
CMOS Flash  
Internal Program Control and Timer  
DATA Polling for End of Program Detection  
Typical Endurance > 10,000 Cycles  
CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
•
•
•
•
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
•
Description  
The AT29BV010A is a 2.7-volt-only in-system Flash Programmable and Erasable  
Read Only Memory (Flash). Its 1 megabit of memory is organized as 131,072 words  
by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS EEPROM technol-  
ogy, the device offers access times up to 200 ns, and a low 54 mW power dissipation.  
When the device is deselected, the CMOS standby current is less than 20 µA. The  
device endurance is such that any sector can typically be written to in excess of  
10,000 times. The programming algorithm is compatible with other devices in Atmel’s  
Low Voltage Flash family of products.  
(continued)  
AT29BV010A  
Pin Configurations  
Pin Name Function  
PLCC Top View  
A0 - A16  
CE  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
OE  
WE  
I/O0 - I/O7 Data Inputs/Outputs  
NC No Connect  
TSOP Top View  
Type 1  
0519B  
4-3  
1234567...10

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AT29BV010A-25TI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT29BV010A-25TC ATMEL

完全替代

 1 Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash

与AT29BV010A-25TI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT29BV010A-25TIT/R ATMEL

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 		Flash, 128KX8, 250ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT29BV010A-25TU ATMEL

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 		Flash, 128KX8, 250ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32
AT29BV010A-25TUT/R ATMEL

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 		Flash, 128KX8, 250ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT29BV010A-30 ATMEL

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 		1 Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash
AT29BV010A-30JC ATMEL

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 		1 Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash
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 		Flash, 128KX8, 300ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT29BV010A-30JI ATMEL

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 		1 Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage CMOS Flash
AT29BV010A-30JIT/R ATMEL

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 		Flash, 128KX8, 300ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT29BV010A-30JU ATMEL

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 		暂无描述
AT29BV010A-30JUT/R ATMEL

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 		Flash, 128KX8, 300ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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