是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.32 | 最长访问时间: | 250 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 36.95 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.59 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28LV256-25PI | ATMEL |
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256K 32K x 8 Low Voltage CMOS E2PROM | |
AT28LV256-25SC | ATMEL |
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256K 32K x 8 Low Voltage CMOS E2PROM | |
AT28LV256-25SCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28LV256-25SI | ATMEL |
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256K 32K x 8 Low Voltage CMOS E2PROM | |
AT28LV256-25SIT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28LV256-25TC | ATMEL |
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256K 32K x 8 Low Voltage CMOS E2PROM | |
AT28LV256-25TCT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT28LV256-25TI | ATMEL |
获取价格 |
256K 32K x 8 Low Voltage CMOS E2PROM | |
AT28LV256-25TIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT28LV64-20JC | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |