AT28HC256E-90TI

更新时间： 2024-02-24 04:00:49

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256 (32K x 8) High-speed Parallel EEPROM

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AT28HC256E-90TI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSOP1, TSSOP28,.53,22	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	90 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	页面大小：	64 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	宽度：	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

AT28HC256E-90TI 数据手册

Features

• Fast Read Access Time – 70 ns

• Automatic Page Write Operation

– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes

– Internal Control Timer

• Fast Write Cycle Times

– Page Write Cycle Time: 3 ms or 10 ms Maximum

– 1 to 64-byte Page Write Operation

• Low Power Dissipation

256 (32K x 8)

High-speed

Parallel

– 80 mA Active Current

– 3 mA Standby Current

• Hardware and Software Data Protection

• DATA Polling for End of Write Detection

• High Reliability CMOS Technology

– Endurance: 10⁴or 10⁵Cycles

– Data Retention: 10 Years

EEPROM

• Single 5V 10% Supply

• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs

• JEDEC Approved Byte-wide Pinout

• Full Military and Industrial Temperature Ranges

• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option

AT28HC256

1. Description

The AT28HC256 is a high-performance electrically erasable and programmable read-

only memory. Its 256K of memory is organized as 32,768 words by 8 bits. Manufac-

tured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the AT28HC256 offers

access times to 70 ns with power dissipation of just 440 mW. When the AT28HC256

is deselected, the standby current is less than 5 mA.

The AT28HC256 is accessed like a Static RAM for the read or write cycle without the

need for external components. The device contains a 64-byte page register to allow

writing of up to 64 bytes simultaneously. During a write cycle, the address and 1 to 64

bytes of data are internally latched, freeing the addresses and data bus for other oper-

ations. Following the initiation of a write cycle, the device will automatically write the

latched data using an internal control timer. The end of a write cycle can be detected

by DATA Polling of I/O7. Once the end of a write cycle has been detected a new

access for a read or write can begin.

Atmel’s 28HC256 has additional features to ensure high quality and manufacturability.

The device utilizes internal error correction for extended endurance and improved

data retention characteristics. An optional software data protection mechanism is

available to guard against inadvertent writes. The device also includes an extra

64 bytes of EEPROM for device identification or tracking.

0007L–PEEPR–03/08

12 3 4 5 6 7...25

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AT28HC256E-90TI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AT28HC256F-90FM/883	MICROCHIP	类似代替	IC EEPROM 256KBIT 90NS 28FLATPK
AT28HC256-90SU	MICROCHIP	功能相似	IC EEPROM 256KBIT 90NS 28SOIC

与AT28HC256E-90TI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT28HC256E-90TU-T	MICROCHIP	获取价格	EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO28
AT28HC256E-90UC	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28HC256E-90UI	ATMEL	获取价格	EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28
AT28HC256E-90UM/883	ATMEL	获取价格	256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs
AT28HC256E-90UM/883	MICROCHIP	获取价格	IC EEPROM 256KBIT 90NS 28CPGA
AT28HC256F	ATMEL	获取价格	256 32K x 8 High Speed CMOS E2PROM
AT28HC256F-12DC	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28HC256F-12DI	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28HC256F-12DJ	ATMEL	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
AT28HC256F-12DM/883	ATMEL	获取价格	256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs

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